Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів
| Автори | Ahmed Mahmood1, Waheb A. Jabbar1 , Yasir Hashim2 , Hadi Bin Manap1 |
| Афіліація |
1Faculty of Engineering Technology, University Malaysia Pahang, 26300 Gambang, Kuantan, Pahang, Malaysia 2Computer Engineering Department, Faculty of Engineering, Ishik University, Erbil-Kurdistan, Iraq |
| Е-mail | waheb@ieee.org |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 19 листопада 2018; у відредагованій формі 02 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Цитування | Ahmed Mahmood, Waheb A. Jabbar, Yasir Hashim, Hadi Bin Manap, J. Nano- Electron. Phys. 11 No 1, 01011 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01011 |
| PACS Number(s) | 00.00.60, 00.00.68 |
| Ключові слова | Ge-FinFET (2) , Розміри каналів, ION/IOFF відношення, Підпорогове коливання (7) , MuGFET (3) . |
| Анотація |
Застосування наноелектронних приладів надзвичайно виграло від стрімкого прогресу в галузі нанотехнологій. Колосальне зменшення розмірів транзисторів дозволило розмістити більше 100 млн транзисторів на одному чіпі, що, в свою чергу, призвело до зниження витрат, збільшення функціональності та підвищення продуктивністі інтегральних мікросхем. Проте, зменшення розміру звичайних планарних транзисторів було б надзвичайно складним через електростатичні втрати та інші виробничі питання. Польовий транзистор Fin Field Effect Transistor (FinFET) показує великий потенціал у масштабованості та технологічності як перспективний кандидат та наступник звичайних планарних пристроїв у нанотехнологіях. Структура FinFET забезпечує чудовий електричний контроль над провідністю каналів, і, таким чином, привертає широкий інтерес дослідників як з наукової, так і з прикладної точок зору. Однак різке зменшення розмірів каналів призводить до погіршення загальної продуктивності за рахунок шкідливих ефектів короткого каналу. У даній роботі досліджено вплив зменшення розмірів каналів транзистора з германію (Ge-FinFET) на електричні характеристики транзистора, а саме на відношення ION/IOFF, підпорогове коливання, порогову напругу та індуковане стоком зниження бар’єру. MuGFET був використаний у моделюванні для досягнення оптимальних розмірів каналу, враховуючи індивідуальну довжину каналу, ширину і товщину оксиду. Крім того, були оцінені ефекти одночасного розгляду усіх вимірів, використовуючи коефіцієнт масштабування. Згідно з отриманими результатами моделювання, найкраща продуктивність Ge-FinFET була досягнена за мінімального коефіцієнта масштабування K 0.25 з довжиною каналу 5 нм, шириною 2.5 нм і товщиною оксиду 0.625 нм. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
12) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
13) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
14) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
15) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
16) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
17) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
