Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур
| Автори | H. Benhabara1, 2 , J.D. Sib1, A. Bouhekka2, 3 , M. Chahi1, D. Benlakhel2, A. Kebbab2, Y. Bouizem2, L. Chahed2 |
| Приналежність |
1Ecole Supérieure en Génie Electrique et Energétique ESGEE Oran - Algérie 2Laboratoire de Physique des Couches Minces et Matériaux pour l'Electronique, Université Oran 1, Ahmed Ben Bella, BP 1524, El M'naouar 31000, Oran- Algeria 3Département de physique, Faculté des Sciences Exactes et Informatique, Université Hassiba Benbouali, Route Nationale N 19 Ouled Fares Chlef 02000, Algérie |
| Е-mail | bouhekkaahmed@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 12 жовтня 2018; у відредагованій формі 04 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | H. Benhabara, J.D. Sib, A. Bouhekka, et al., J. Nano- Electron. Phys. 11 No 1, 01014 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01014 |
| PACS Number(s) | 72.80.Jc, 73.63.Bd |
| Ключові слова | Мікрокристалічна структура, Аморфний кремній (7) , Темна провідність, AMPS-1D (10) , Енергія активації (12) , Електричні властивості (20) . |
| Анотація |
Метою даної роботи є експериментальне і модельне дослідження кореляції між об'ємною фракцією кристалів і транспортними властивостями тонких плівок гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, використовуючи одновимірний аналіз програми мікроелектронних і фотонних структур (AMPS-1D). Об'ємну фракцію кристалів визначали спектроскопічною еліпсометрією і вимірюваннями електропровідності. Зразки гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію осаджували методом радіочастотного магнетронного розпилення кристалічної мішені кремнію у газовій суміші аргону і водню при трьох різних сумарних тисках (2, 3 і 4 Па) та змінюючи температуру підкладки (25, 100, 150 і 200 °С). Темна провідність вимірювалася в копланарній конфігурації в оптичному кріостаті при прикладанні електричного поля і керуючого струму. У дослідженнях темної провідності з використанням AMPS-1D ми моделювали плівки як чергування аморфних і кристалічних областей з різними кристалічними об'ємними фракціями (від 0 до 80 %). Результати показали, що провідність залежить від ширини ділянки, що розділяє аморфні та кристалічні області. Була виявлена сильна кореляція між енергією активації плівок гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію і об'ємною часткою кристалічних речовин, де співвідношення розміру зерна до його товщини грає вирішальну роль. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
14) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
15) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
16) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
17) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
