Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження

Автори	K.D. Kadam¹, S.L. Patil², H.S. Patil¹, P.P. Waifalkar², K.V. More³, R.K. Kamat⁴, T.D. Dongale¹
Афіліація	¹Computational Electronics and Nanoscience Research Laboratory, School of Nanoscience and Biotechnology, Shivaji University, Kolhapur-416004, India ²Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur-416004, India ³Department of Chemistry, Shivaji University, Kolhapur-416004, India ⁴Department of Electronics, Shivaji University, Kolhapur-416004, India
Е-mail	tdd.snst@unishivaji.ac.in
Випуск	Том 11, Рік 2019, Номер 1
Дати	Одержано 18 жовтня 2018; у відредагованій формі 04 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019
Цитування	K.D. Kadam, S.L. Patil, H.S. Patil, et al., J. Nano- Electron. Phys. 11 № 1, 01013 (2019)
DOI	https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01013
PACS Number(s)	61.46.Df, 73.21.La, 78.67.−n
Ключові слова	Квантова точка (10) , Оптичні властивості (28) , GaAs (22) , Моделювання (81) .
Анотація	У роботі розглянуто моделювання квантової точки GaAs з різними формами, такими як кубічна, циліндрична, куполоподібна, конусоподібна і пірамідальна. Проведено моделювання різних структур і досліджено оптичні властивості в залежності від форми квантової точки, використовуючи інструмент моделювання з відкритим вхідним кодом, доступний на платформі NanoHub. За його допомогою можна моделювати як прості, так і багатошарові структури нульової розмірності, розв’язуючи рівняння Шредінгера. Отримані результати свідчать про те, що енергетичні стани змінюються в залежності від форми квантової точки, для конусоподібних точок спостерігаються більш високі енергетичні стани. Крім того, моделювання показало, що кубічна і циліндрична форми мають максимальне поглинання, тоді як мінімальне поглинання спостерігається для куполоподібної форми. Більш високе поглинання відбувається за рахунок більшої площі поверхні кубічної і циліндричної форм, тоді як недостатній кут поляризації падаючого світла знижує поглинання для структури куполоподібної форми. Крім того, поглинальна властивість суттєво не змінюється при різних температурах середовища. Результати інтегрованого поглинання показали, що кубічна і циліндрична форми мають більш високе поглинання, тоді як мінімальне поглинання спостерігається для конусоподібної і пірамідальної форм структур нульової розмірності. Наведені результати відкривають шлях до оптимізації різних параметрів квантової точки для оптоелектронних приладів.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]
2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
14) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
15) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
16) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
17) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe на їх оптичні властивості [01023-1-01023-5]
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]