Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії
| Автори | R.A. Zargar1, A.H. Shah1, H.A. Reshi2, M. Arora3 , F.A. Mir1 |
| Приналежність |
1Department of Physics, Baba Ghulam Shah Badshah University, Rajouri (J & K)-185234, India 2Department of Physics, Government Degree College, Kulgam (J & K)-192231, India 3CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K.S. Krishnan Marg, New Delhi-110012, India |
| Е-mail | hilal.phy@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 28 червня 2018; у відредагованій формі 06 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | R.A. Zargar, A.H. Shah, H.A. Reshi, et al., J. Nano- Electron. Phys. 11 No 1, 01027 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01027 |
| PACS Number(s) | 81.20.ka, 81.70.Pg, 61.72.Uj |
| Ключові слова | Прозорий провідний оксид, XRD (90) , УФ-видимий діапазон, Провідність (84) , Спрей-піроліз (12) . |
| Анотація |
Широкозонні напівпровідники є перспективними матеріалами, придатними для високотемпературних, високочастотних, високоенергетичних операцій в електроніці, а також оптоелектронних пристроях через їх виняткові характеристики. Більш конкретно, на основі плівок CdO і ZnO можна реалізувати короткохвильові пристрої, що випромінюють світло, завдяки великій ширині забороненої зони. Плівки CdO і ZnO широко використовуються для оптоелектронних приладів в області короткохвильового видимого світла, особливо для лазерних діодів і світлодіодів. У даній роботі наведено структурні, оптичні та електричні властивості широкозонної тонкої плівки CdZnO, одержаної методом спрей-піролізу на скляній підкладці. Визначення характеристик зразків проводили за допомогою УФ-спектроскопії, рентгенівської дифракції, скануючого електронного мікроскопа, комбінаційної спектроскопії та чотиризондових вимірювань. На рентгенограмі виявлено суміш кубічної та гексагональної фаз оксиду кадмію. Морфологію поверхні зразка ідентифікували за допомогою скануючого електронного мікроскопа як пористу поверхню. Спектри комбінаційного розсіювання світла показують сильний фононний пік на додаток до інших багатофононних піків. Оптично-абсорбційна спектроскопія та вимірювання провідності постійного струму дають оптичну ширину забороненої зони 2.87 еВ і напівпровідникову природу з енергією активації 0.33 еВ. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
14) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
15) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
16) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
17) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
18) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
19) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
20) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
21) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
22) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
23) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
24) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
25) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
26) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
