Автори | R.A. Zargar1, A.H. Shah1, H.A. Reshi2, M. Arora3 , F.A. Mir1 |
Афіліація |
1Department of Physics, Baba Ghulam Shah Badshah University, Rajouri (J & K)-185234, India 2Department of Physics, Government Degree College, Kulgam (J & K)-192231, India 3CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K.S. Krishnan Marg, New Delhi-110012, India |
Е-mail | hilal.phy@gmail.com |
Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
Дати | Одержано 28 червня 2018; у відредагованій формі 06 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
Цитування | R.A. Zargar, A.H. Shah, H.A. Reshi, et al., J. Nano- Electron. Phys. 11 No 1, 01027 (2019) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01027 |
PACS Number(s) | 81.20.ka, 81.70.Pg, 61.72.Uj |
Ключові слова | Прозорий провідний оксид, XRD (97) , УФ-видимий діапазон, Провідність (94) , Спрей-піроліз (14) . |
Анотація |
Широкозонні напівпровідники є перспективними матеріалами, придатними для високотемпературних, високочастотних, високоенергетичних операцій в електроніці, а також оптоелектронних пристроях через їх виняткові характеристики. Більш конкретно, на основі плівок CdO і ZnO можна реалізувати короткохвильові пристрої, що випромінюють світло, завдяки великій ширині забороненої зони. Плівки CdO і ZnO широко використовуються для оптоелектронних приладів в області короткохвильового видимого світла, особливо для лазерних діодів і світлодіодів. У даній роботі наведено структурні, оптичні та електричні властивості широкозонної тонкої плівки CdZnO, одержаної методом спрей-піролізу на скляній підкладці. Визначення характеристик зразків проводили за допомогою УФ-спектроскопії, рентгенівської дифракції, скануючого електронного мікроскопа, комбінаційної спектроскопії та чотиризондових вимірювань. На рентгенограмі виявлено суміш кубічної та гексагональної фаз оксиду кадмію. Морфологію поверхні зразка ідентифікували за допомогою скануючого електронного мікроскопа як пористу поверхню. Спектри комбінаційного розсіювання світла показують сильний фононний пік на додаток до інших багатофононних піків. Оптично-абсорбційна спектроскопія та вимірювання провідності постійного струму дають оптичну ширину забороненої зони 2.87 еВ і напівпровідникову природу з енергією активації 0.33 еВ. |
Перелік посилань |