Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження
| Автори | A. Hima1, N. Lakhdar1, A. Saadoune2 |
| Приналежність |
1Department of Electrical Engineering, University of El Oued, El Oued 39000, Algeria 2Laboratory of Metallic and Semiconducting Materials, Mohammed Khieder University of Biskra, 07000, Biskra, Algeria |
| Е-mail | nacereddine_l@hotmail.fr |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 01 грудня 2018; у відредагованій формі 01 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | A. Hima, N. Lakhdar, A. Saadoune, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 1, 01026 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01026 |
| PACS Number(s) | 88.40.H – , 88.40.hj |
| Ключові слова | Вольт-амперні характеристики (11) , Перовскіт (18) , Ефективність перетворення енергії (2) , Сонячна батарея (6) , ZnO (88) , CdS (33) . |
| Анотація |
Фотоелектрична енергія широко застосовується, особливо у виробництві сонячних елементів. Технологія сонячних елементів на основі перовскіту знаходиться в центрі уваги з боку фотоелектричних технологій завдяки високій ефективності перетворення енергії та низькій вартості обробки порівняно з іншими методами. Першим кроком у виробництві сонячних батарей є моделювання, яке дає уявлення про вплив різних параметрів на ефективне перетворення енергії з меншими витратами. Існує різноманітне програмне забезпечення, що використовується у моделюванні сонячних батарей, таке як GPVDM, SCAPS і Silvaco Atlas. Тому в сонячних елементах на основі перовскіту використовують кілька структур, таких як n-i-p, p-i-n, n-p-p і p-p-n. Наше дослідження орієнтоване на структуру n-i-p. У роботі ми використовували програмне забезпечення Silvaco Atlas, оскільки воно містить безліч фізичних і рекомбінаційних моделей, заснованих на розв'язанні рівняння Пуассона з частинними похідними і безперервності носіїв. Крім того, нами представлено чисельне моделювання планарних структур сонячних елементів гетеропереходу, який має наступні шари: шар переносу дірок / шар поглинання перовскіту / транспортуючий шар електронів. Однак використовуються різні матеріали шарів, а саме сульфід кадмію (CdS) і оксид цинку (ZnO), для вивчення поведінки сонячних елементів на основі перовскіту (CH3NH3PbI3). Останній матеріал, використаний у моделюванні даної роботи, належить до органічного / неорганічного типу. Отримані результати показують, що структура сонячних елементів на основі CdS демонструє кращу продуктивність з точки зору ефективності перетворення енергії порівняно з такою ж структурою на основі ZnO при використанні однакової товщини шару. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
14) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
15) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
16) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
17) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
18) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
19) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
20) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
21) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
22) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
23) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
24) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
25) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
