Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання
| Автори | Н.А. Бородуля, Р.О. Резаєв, С.Г. Чистяков, Е.І. Смірнова, А.С. Гоголєв, Н.А. Філатов |
| Афіліація |
Томський політехнічний університет, пр. Леніна, 30, 634050 Томськ, Росія |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 21 грудня 2018; у відредагованій формі 0 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Цитування | Н.А. Бородуля, Р.О. Резаєв, С.Г. Чистяков та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 1, 01025 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01025 |
| PACS Number(s) | 61.80.Cb |
| Ключові слова | Крос-кореляційний аналіз, Рентгенівське випромінювання (5) , Швидкість потоку рідини. |
| Анотація |
У роботі продемонстровано принципову схему застосування методу крос-кореляційного аналізу для визначення швидкості руху рухомого об'єкта в рідині. Зокрема, пікові значення кореляційної функції відрізняються від фонових в два рази. Це дозволяє точно визначити корисний сигнал. Узагальнення запропонованого підходу до випадку визначення витрати рідини не вимагає модифікації основних принципів інсталяції або методу крос-кореляції. Схема розробленої експериментальної установки полягає в наступному: джерело рентгенівського випромінювання зі складним спектром спрямовується на трубу, заповнену багатокомпонентною сумішшю. Одна частина рентгенівського випромінювання проходить через вікна, виготовлені з матеріалу з низьким коефіцієнтом поглинання і сумішшю. Інша частина випромінювання проходить через стінки труби і практично не поглинається стінами, утворюючи тим самим вузький пучок. Промінь, пройшовши через багатокомпонентну суміш, стає носієм інформації про його характеристики, а також залежності від складу і параметрів багатофазних рідин. Рентгенівське випромінювання поширюється і розсіюється за рахунок фотоефекту і комптонівського розсіювання. Аналізатор кристалічного монохроматора складається з двох монокристалічних пластикових стрижнів (111) і (100). Частина рентгенівського пучка, що задовольняє бреггівським умовам, дифрагує на аналізаторі кристалічного монохроматора, інша його частина проходить без відхилень. Диференціальне випромінювання кристалічного монохроматора-аналізатора спрямоване на протидію іонізуючого випромінювання. Двоканальний сцинтиляційний лічильник іонізуючого випромінювання реєструє монохроматичне випромінювання при низькій і високої енергіях, що відповідає умові Брегга для кристалічного монохроматора-аналізатора. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
14) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
15) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
16) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
17) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
18) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
19) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
20) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
21) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
22) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
23) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
24) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
