Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu
| Автори | P.K. Samanta1, M. Das2, N.K. Rana3 |
| Приналежність |
1Department of Physics (PG & UG), Prabhat Kumar College, Contai-721404, West Bengal, India 2Department of Physics (PG & UG), Panskura Banamali College, Panskura-721152, West Bengal, India 3Department of Physics, Ghatal R. S. Mahavidyalaya, Ghatal-721212, West Bengal, India |
| Е-mail | pijush.samanta@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 18 листопада 2018; у відредагованій формі 02 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | P.K. Samanta, M. Das, N.K. Rana, J. Nano- Electron. Phys. 11, No 1, 01028 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01028 |
| PACS Number(s) | 78.67.Bf, 78.67.Rb, 87.64.-t |
| Ключові слова | ZnO (88) , Легування (28) , Рентгенівська дифракція (21) , Кристал (161) , Анізотропія (19) . |
| Анотація |
В роботі був використаний метод золь-гель синтезу наночастинок ZnO, нелегованих і легованих Cu. Кристалічна структура наночастинок ZnO була досліджена методом рентгенографії. Отримані результати свідчать про утворення чистих і легованих Cu наночастинок ZnO. Виявлено, що ріст наночастинок є анізотропним. Низька концентрація легування Cu не впливає на розмір частинок ZnO. Ми успішно синтезували наночастинки ZnO, нелеговані і леговані Cu, використовуючи простий і економічно ефективний золь-гель метод. Синтезовані наночастинки ZnO демонструють високу кристалічність, а легування Cu підтверджується рентгенівською дифракцією. Дифрактограма також свідчить про те, що зростання гексагонального ZnO є анізотропним. Проте, внаслідок низького відсотка легування Cu, суттєвих змін у розмірі частинок не спостерігалося. У даній роботі наведено дуже простий і економічно ефективний метод золь-гель синтезу наночастинок ZnO з типовими структурними характеристиками. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
14) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
15) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
16) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
17) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
18) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
19) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
20) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
21) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
22) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
23) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
24) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
25) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
26) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
27) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
