Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3
| Автори | І.В. Суджанська1, М.Н. Япринцев1 , Ю.С. Некрасова2, В.М. Береснєв3 , А.Н. Васильєв1 |
| Приналежність |
1 Бєлгородський державний національний дослідницький університет, вул. Перемоги, 85, 308015 Бєлгород, Росія 2Бєлгородський державний технологічний університет ім. Шухова, вул. Костюкова, 46, 308012 Бєлгород, Росія 3Харківский національний університет ім. В.Н. Каразіна, пл. Свободи, 4, 61022 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 26 грудня 2018; у відредагованій формі 08 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | І.В. Суджанська, М.Н. Япринцев, Ю.С. Некрасова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 1, 01018 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01018 |
| PACS Number(s) | 81.05.Je, 72.80.Ey |
| Ключові слова | Керамічна система (2) , Рентгенофазовий склад, Мікроструктура (20) , Питома електропровідність (6) . |
| Анотація |
В роботі отримано зразки керамічних систем Y2O3-ZrO2-SrTiO3 і Y2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3. Встановлено, що Y2O3-ZrO2-SrTiO3 є двофазною і складається із фази з кубічною структурою (), що належить до SrTiO3, і фази з тетрагональною структурою (P42/nmc), що належить до Y0.05Zr0.95O2. Введення компонента BiScO3 у систему Y2O3-ZrO2-SrTiO3 призводить до утворення трьох фаз: кубічної фази з групою симетрії простору , кубічної фази з симетрією та тетрагональної фази з симетрією Р4. Рефлекси від кубічної фази належать до кубічної модифікації діоксиду цирконію. Кубічна фаза і тетрагональна фаза Р4 належать до SrTiO3-BiScO3. За допомогою скануючої електронної мікроскопії було показано, що додавання добавки BiScO3 до керамічної системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 призводить до значного зменшення розміру зерен і більшої однорідності матеріалу. Аналіз результатів досліджень питомої електропровідності керамічних систем Y2O3-ZrO2-SrTiO3 і Y2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 свідчить, що введення добавки BiScO3 в керамічну систему зменшує енергію активації процесу провідності від 1.5 еВ до 0.82 еВ. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
14) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
15) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
16) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
17) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
