Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації
| Автори | С.Н. Федосов , О.Є. Сергєєва |
| Приналежність |
Кафедра фізики і матеріалознавства, Одеська національна академія харчових технологій, вул. Kaнатна, 112, 65039 Oдесa, Україна |
| Е-mail | fedosov@optima.com.ua |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 28 вересня 2018; у відредагованій формі 02 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | С.Н. Федосов, О.Є. Сергєєва, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 1, 01012 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01012 |
| PACS Number(s) | 77.84.-s, 73.61.Ph |
| Ключові слова | Cегнетоелектричні полімери, Розподіл поляризації, PVDF (5) . |
| Анотація |
Динаміка профілів поляризації в плівках полівініліденфториду (PVDF) вивчалася in situ методом покрокової зміни тиску. Показано, що при електризації і зворотному перемиканні в середніх полях формується істотно неоднорідний профіль поляризації з максимумом поляризації поблизу позитивного електрода. Однак первинна електризація зразків в сильних полях приводила до формування однорідного профілю поляризації, який залишався однорідним і легко перемикався при будь-якому згодом прикладеному полі. Виявилося, що неможливо поліпшити однорідність поляризації в PVDF шляхом застосування сильних полів, якщо оригінальна електризація проводилася в слабких або середніх полях. Спостережувані особливості були пояснені моделлю, яка передбачає інжекцію негативних зарядів і формування постійного блокуючого шару на кордоні між поляризованими і неполяризованими зонами. Отримані результати слід враховувати при виборі умов електризації при проектуванні і виробництві датчиків і виконавчих елементів на основі PVDF. Результати мають практичне значення в розробці п'єзо- і піросенсорів та активаторів з використанням сегнетоелектричних PVDF плівок, оскільки їх слід враховувати при виборі умов полірування. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
13) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
14) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
15) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
16) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
17) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
