Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів
| Автори | У.В. Яхневич1, Г. Суханек2, А. Ейдам2, Д.Ю. Сугак1, 3 , І.І. Сиворотка1, В.Г. Гайдучок1, О.А. Бурий1, С.Б. Убізський1, Г. Герлах2 |
| Приналежність |
1Кафедра напівпровідникової електроніки, Національний університет "Львівська політехніка", вул. С. Бандери, 12, 79000 Львів, Україна 2Лабораторія твердотільної електроніки, Технічний університет Дрездена, 01062 Дрезден, Німеччина 3Науково-виробниче підприємство “Електрон-Карат”, вул Стрийська, 202, Львів, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 11 грудня 2018; у відредагованій формі 07 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | У.В. Яхневич, Г. Суханек, А. Ейдам та ін., Ж. нано- елкектрон. фіз. 11 № 1, 01017 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01017 |
| PACS Number(s) | 66.30. – h, 78.20. – e, 77.70. + a |
| Ключові слова | Монокристали LiNbO3, Профілі глибини дифузії домішок, Профілі піроелектричного коефіцієнта. |
| Анотація |
Досліджено просторові зміни оптичних і піроелектричних властивостей монокристалів LiNbO3, легованих іонами Cu і Fe шляхом дифузії за високих температур. Перед відпалом кристали були повністю покриті відповідним порошком оксиду металу. Для визначення ролі різних типів дифузійних джерел іонів металів у формуванні модифікованих шарів LiNbO3 аналогічні дослідження були виконані і для зразків, покритих перед відпалом плівками Cu. Оптичне поглинання зразків реєстрували в напрямку, перпендикулярному напрямку дифузії на різних відстанях від поверхні кристала. Інтенсивність смуг поглинання іонів Cu+ (400 нм), Cu2+ (1000 нм) і Fe3 + (480 нм) аналізували залежно від температури відпалу та відстані від джерела дифузії. На залежностях змін додаткового поглинання з глибиною у всіх зразках спостерігались максимуми. Концентрації іонів Cu та Fe розраховували за формулою Смакули-Декстера. Для встановлення кореляції змін оптичних і піроелектричних властивостей методом модуляції інтенсивності лазерного випромінювання були досліджені профілі піроелектричного коефіцієнта у легованих кристалах. Для запобігання невизначеності вимірювань методом теплових хвиль, яка збільшується з глибиною зразка, піроелектричний струм реєструвався під час збудження кристала як з передньої, так і задньої площини пластини. Для калібрування результатів також були виміряні усереднені піроелектричні коефіцієнти. Синусоїдальна модуляція температури зразка з частотою 0.1 Гц забезпечувалась за допомогою модуля Пельтьє. Встановлено, що дифузійне легування впливає на піроелектричні властивості кристалів ніобату літію. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax [01004-1-01004-4]
5) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
6) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
7) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
8) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
9) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
10) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
11) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
12) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
13) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
14) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
15) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
16) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
17) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
