Вплив матеріалу корпусу на електричні характеристики двозатворного JLFET з піднятим витоком-стоком
| Автори | R. Swargiary1, K.C.D. Sarma1, B.N. Thakur2 |
| Афіліація |
1Department of Instrumentation Engineering, Central Institute of Technology, 783370 Kokrajhar, India 2Department of Electrical and Electronics Engineering, Bhilai Institute of Technology, 481001 Chhattisgarh, India |
| Е-mail | ph22ie1001@cit.ac.in |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 3 |
| Дати | Одержано 24 лютого 2026; у відредагованій формі 23 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026 |
| Цитування | R. Swargiary, K.C.D. Sarma, B.N. Thakur, Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03014 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03014 |
| PACS Number(s) | 72.80.Ga, 85.30.Tv |
| Ключові слова | JLFET (6) , Подвійні ворота, Піднятий витік джерела, Матеріали корпусу. |
| Анотація |
Gредставлено вплив властивостей матеріалу корпусу на електричні характеристики безпольового транзистора з піднятим витоком та двома затворними переходами (RSD DG JLFET). Для розуміння поведінки пристрою проведено математичний аналіз струму стоку, порогової напруги та підпорогового коливання з урахуванням області піднятого витоку та стоку. Дослідження проведено за допомогою моделювання на основі TCAD з п'ятьма напівпровідниковими матеріалами: кремнієм (Si), германієм (Ge), карбідом кремнію (SiC), нітридом галію (GaN) та арсенідом галію (GaAs). Результати моделювання показують, що складні напівпровідники, зокрема SiC та GaN, демонструють кращі електричні характеристики порівняно з елементарними напівпровідниками, такими як Si та Ge, головним чином завдяки їхній вищій рухливості носіїв заряду та ширшій забороненій зоні. У дослідженні систематично аналізуються ключові параметри пристрою, включаючи товщину каналу, довжину каналу, товщину затворного оксиду та діелектричну проникність затворного оксиду, для оцінки їхнього впливу на продуктивність пристрою. Аналіз показує, що SiC та GaN демонструють вищий струм стоку, покращену стабільність порогової напруги та нижчий підпороговий розмах, що призводить до кращої ефективності пристрою та зменшення струмів витоку за підвищених температур. Загалом, отримані результати демонструють, що широкозонні складні напівпровідники, такі як SiC та GaN, є дуже перспективними для високопродуктивних та термічно стійких наноелектронних застосувань. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Гетероструктури CoFe2O4/InSe на основі шаруватих кристалів: електричні та фотоелектричні властивості [03001-1-03001-4]2) Методи управління локальністю резонаторних зондів коаксіального типу у НВЧ сенсориці [03002-1-03002-4]
3) Вплив взаємодії інтенсивного УФ-випромінювання з тонкими плівками NZO [03003-1-03003-7]
4) Дослідження наночастинок оксиду кадмію в умовах затухання акустичних ударних хвиль [03004-1-03004-5]
5) Чисельне дослідження пружно-механічних властивостей металоматричного композиту Al/SiC [03005-1-03005-5]
6) Проєктування та оптимізація компактного 2D фотонно-кристалічного фільтра з ромбоподібною порожниною для оптичного зондування [03006-1-03006-6]
7) Органічний світловипромінювальний пристрій на основі квантової ями з настроюванням за кольором [03007-1-03007-5]
8) Наномодифіковані полімерні композитні бандажні системи для ремонту трубопроводів газо-нафтотранспортного комплексу [03008-1-03008-7]
9) Вплив сильного пустельного пилу на багатохвильові оптичні лінії у вільному просторі: порівняльне дослідження для 850, 1550 та 3800 нм [03009-1-03009-9]
10) Вплив допування Bi на оптичні та структурні властивості тонких плівок ZnO: роль енергії Урбаха та механічних напружень [03010-1-03010-7]
11) Еліпсометрична характеристика наноструктур SiO2/Au/Cr для стабільних ППР-сенсорів [03011-1-03011-5]
12) Сучасні інструменти САПР для одноелектронних нанопристроїв [03012-1-03012-6]
13) Створення мікросмужкового сенсора гігагерцового діапазону для контролю легування напівпровідникових структур [03013-1-03013-5]
14) Антена з дефектами заземлення у формі кулі та прямокутника для зв'язку 5G середнього діапазону нижче 6 ГГц [03015-1-03015-5]
15) Проєктування та аналіз антени на основі полібавовняної підкладки для міліметрових хвиль 5G та застосувань WBAN [03016-1-03016-5]
16) Дводіапазонна кругла патч-антена з F-подібними прорізами для бездротових застосувань в S- та C-діапазонах [03017-1-03017-5]
17) Розробка унікальної смугово-частотної селективної поверхні для радіолокаційного застосування [03018-1-03018-5]
18) Компактна Т-подібна кругла патч-антена для застосувань у C-діапазоні [03019-1-03019-5]
19) Частотно-селективна поверхня (FSS) з високою кутовою стабільністю та нечутливими до поляризації характеристиками для широкосмугових застосувань [03020-1-03020-5]
20) Плазмонний зв’язок у димерах наночастинок срібла: 3D-FDTD Моделювання оптичного відгуку, що залежить від відстані [03021-1-03021-5]
21) Аналіз еліптичної патч-антени для супутникового зв’язку C-діапазону [03022-1-03022-4]
22) Розробка та аналіз Т-подібної антени міліметрового діапазону на частоті 47 ГГц у застосунку 6G [03023-1-03023-5]
23) Компактна кругла пелюсткова фрактальна антена з дефектною структурою заземленої площини для радіолокаційних застосувань 5G та X-діапазону в діапазоні менше 6 ГГц [03024-1-03024-4]
24) Оптимізація різних фізичних властивостей перовскітного сонячного елемента на основі CsPbI3 – XBrX (X = 0, 1) [03025-1-03025-4]
25) Компактна дводіапазонна патч-антена у формі квітки з прямокутним DGS для застосувань WLAN/WiMAX [03026-1-03026-4]
26) Проєктування та оптимізація MIMO-антени з рослинною структурою для передових бездротових систем Wi-Fi 6E [03027-1-03027-5]
27) Полімерні нанокомпозитні плівки, леговані п’єзоелектричними наночастинками оксидів металів [03028-1-03028-6]
28) Електронна енергетична структура GaAs легованого Sc [03029-1-03029-7]
29) Оптична антена-резонатор на основі металевої витягнутої сфероїдальної наночастинки [03030-1-03030-8]
30) InN-діоди Ганна субміліметрового діапазону з варізонним GaInN-інжектором [03031-1-03031-10]
31) Дослідження структурних та оптичних властивостей тонких плівок Er2O3, вирощених методом спрей-піролізу з нітрату ербію [03032-1-03032-7]
32) Оцінка дії мікроорганізмів на епоксидні нанокомпозити для обладнання газо-нафтотранспортного комплексу [03033-1-03033-7]
33) Регламент формування зони теплового впливу підземного теплообмінника як фактора екологічного ризику для ґрунтового середовища [03034-1-03034-7]
34) Моделювання феромагнетизму кімнатної температури в гідрованому колегованому ZnO за раціональною функцією [03035-1-03035-4]
35) Чотириелементна MIMO-антена з рознесенням діаграм спрямованості та покращеною ізоляцією для міліметрових хвиль 5G [03036-1-03036-7]
36) Високоякісні тонкі плівки Co3S4 з електропровідністю, отримані методом розпилювального піролізу [03037-1-03037-6]
