Еліпсометрична характеристика наноструктур SiO2/Au/Cr для стабільних ППР-сенсорів

Автори I. Minailova1, O. Ivakhno-Tsehelnyk2, P. Shamrovska2, A. Fedorenko1, N. Kachur1, I. Matyash1, V. Maslov1, D.R.T. Zhan2
Афіліація

1V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

2Semiconductor Physics and Center for Materials, Architectures, and Integration of Nanomembranes (MAIN), Chemnitz University of Technology, D-09107 Chemnitz, Germany

 

Е-mail irinaminailova125@gmail.com
Випуск Том 18, Рік 2026, Номер 3
Дати Одержано 04 квітня 2026; у відредагованій формі 23 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026
Цитування I. Minailova, O. Ivakhno-Tsehelnyk, et al., Жю нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03011 (2026)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03011
PACS Number(s) 07.60.Fs, 73.20.Mf
Ключові слова Спектроскопічна еліпсометрія (2) , Поверхневий плазмонний резонанс (11) , Оптичні константи, Золь-гель метод (6) , Наноструктури (28) , Золото (5) , Діоксид кремнію (3) .
Анотація

Досліджені оптичні характеристики багатошарової наноструктури SiO2(5 нм)/Au(50 нм)/Cr(5 нм)/скло, розробленої для сенсорів стабільного поверхневого плазмонного резонансу (SPR). Багатокутова спектроскопічна еліпсометрія використовувалася під кутами 50°, 60° та 70° для точного аналізу спектральних залежностей еліпсометричних параметрів Ψ та Δ у широкому діапазоні довжин хвиль від 300 до 1500 нм. У той час як металеві шари (Cr та Au) були нанесені методом вакуумного термічного випаровування, захисний шар діоксиду кремнію був сформований золь-гель методом з подальшим термічним відпалом при 400 °C.Дослідження показало, що осадження шару SiO2 товщиною 5 нм викликає характерну модифікацію спектрів Ψ() та Δ(), що відображає діелектричний внесок покриття без погіршення металевих властивостей золотої плівки. Чисельне моделювання на основі перевіреної оптичної моделі показало, що введення захисного шару призводить до незначного зсуву резонансу ППР приблизно на 0,5° при робочій довжині хвилі 633 нм. Важливо, що висока якість та чутливість резонансу зберігаються. Результати підтверджують, що наношар SiO2, отриманий золь-гель методом, ефективно стабілізує поверхню сенсора від впливу навколишнього середовища, зберігаючи при цьому його оптимальні функціональні характеристики, що робить його перспективним кандидатом для довговічних сенсорних застосувань на основі ППР.

Перелік посилань