Сучасні інструменти САПР для одноелектронних нанопристроїв

Автори О.С. Мельник, О.О. Нагайченко
Афіліація

Національний університет «Київський авіаційний інститут», 03058 Київ, Україна

Е-mail oleksandr.melnyk@npp.kai.edu.ua
Випуск Том 18, Рік 2026, Номер 3
Дати Одержано 02 квітня 2026; у відредагованій формі 19 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026
Цитування О.С. Мельник, О.О. Нагайченко, Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03012 (2026)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03012
PACS Number(s) 85.35.Be, 85.35.Gv
Ключові слова Одноелектронна наноелектроніка, Автоматизоване проєктування, Кріогенна температура, Дисипація енергії, Дефектостійкість наносхем.
Анотація

Представлено аналіз результатів, отриманих у процесі автоматизованого проектування нанопристроїв на основі квантово-точкових клітинних автоматів з використанням сучасних одноелектронних САПР, таких як QCADesigner, QCADesigner-E та QCADesigner-FS. На прикладі схеми наномультиплексора було проведено функціональне, температурно-залежне, термоенергетичне та ймовірнісне дефектоорієнтоване моделювання. Показано, що сучасні пакети САПР дозволяють не тільки синтезувати топологію наносхеми, але й всебічно оцінити її працездатність, енергоефективність та стійкість до структурних дефектів. Зрештою було встановлено, що досліджуваний наномультиплексор коректно реалізує функцію селекції сигналу; однак він залишається працездатним лише в обмеженому кріогенному діапазоні температур. Енергетичний аналіз виявив періодичну поведінку компонентів дисипації, пов'язаних з фазами тактування, тоді як моделювання за допомогою QCADesigner-FS підтвердило значну залежність ймовірності помилки від чотирьох типів дефектів, викликаних процесом, рівня несправності та топологічного розміщення комірок. Найбільш вразливими елементами виявилися функціонально критичні вузли, пов'язані з введенням сигналу, керуванням та формуванням виходу.

Перелік посилань