Гетероструктури CoFe2O4/InSe на основі шаруватих кристалів: електричні та фотоелектричні властивості

Автори I.Г. Ткачук1,3, І.Г. Орлецький2 , В.Б. Боледзюк1 , В.I. Іванов1 , М.В. Товарницький1, E.Г. Махрова3
Афіліація

1Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, 58001 Чернівці, Україна

2Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, 58012 Чернівці, Україна

3Буковинський державний медичний університет, 58001 Чернівці, Україна

Е-mail ivan.tkachuk.1993@gmail.com
Випуск Том 18, Рік 2026, Номер 3
Дати Одержано 23 лютого 2026; у відредагованій формі 19 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026
Цитування I.Г. Ткачук, І.Г. Орлецький, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03001 (2026)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03001
PACS Number(s) 73.40. – c, 78.66. – w
Ключові слова Селенід Індію (15) , Гетероструктури (11) , Спрей-піроліз (15) , Вольт-амперні характеристики (17) , Фоточутливість (10) .
Анотація

Досліджено електричні та фотоелектричні властивості анізотипного гетеропереходу n-CoFe2O4/p-InSe, сформованого на основі тонких плівок фериту кобальту та шаруватого напівпровідника селеніду індію. Плівки CoFe2O4 отримано методом спрей-піролізу. Підкладки p-InSe виготовлено з монокристалів, вирощених методом Бріджмена. Приведено результати вимірювань вольт-амперних характеристик гетероструктур в інтервалі температур 244÷317 К. Проведено оцінку висоти потенціального бар’єра. Розглянуто вплив послідовного опору на форму прямих гілок вольт-амперних характеристик та визначено основні чинники, що його обумовлюють. На основі аналізу експериментальних залежно-стей досліджено механізми переносу заряду через гетероперехід при прямому та зворотньому зміщен-нях. Проведено апроксимацію експериментальних даних у рамках відповідних теоретичних моделей. Встановлено основні закономірності формування спектрального відгуку в діапазоні енергій фотонів 1.2÷3.2 еВ. Отримані результати можуть бути використані при розробці електронних пристроїв на ос-нові гетероструктур даного типу.

Перелік посилань