| Автори | I.Г. Ткачук1,3, І.Г. Орлецький2 , В.Б. Боледзюк1 , В.I. Іванов1 , М.В. Товарницький1, E.Г. Махрова3 |
| Афіліація |
1Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, 58001 Чернівці, Україна 2Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, 58012 Чернівці, Україна 3Буковинський державний медичний університет, 58001 Чернівці, Україна |
| Е-mail | ivan.tkachuk.1993@gmail.com |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 3 |
| Дати | Одержано 23 лютого 2026; у відредагованій формі 19 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026 |
| Цитування | I.Г. Ткачук, І.Г. Орлецький, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03001 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03001 |
| PACS Number(s) | 73.40. – c, 78.66. – w |
| Ключові слова | Селенід Індію (15) , Гетероструктури (11) , Спрей-піроліз (15) , Вольт-амперні характеристики (17) , Фоточутливість (10) . |
| Анотація |
Досліджено електричні та фотоелектричні властивості анізотипного гетеропереходу n-CoFe2O4/p-InSe, сформованого на основі тонких плівок фериту кобальту та шаруватого напівпровідника селеніду індію. Плівки CoFe2O4 отримано методом спрей-піролізу. Підкладки p-InSe виготовлено з монокристалів, вирощених методом Бріджмена. Приведено результати вимірювань вольт-амперних характеристик гетероструктур в інтервалі температур 244÷317 К. Проведено оцінку висоти потенціального бар’єра. Розглянуто вплив послідовного опору на форму прямих гілок вольт-амперних характеристик та визначено основні чинники, що його обумовлюють. На основі аналізу експериментальних залежно-стей досліджено механізми переносу заряду через гетероперехід при прямому та зворотньому зміщен-нях. Проведено апроксимацію експериментальних даних у рамках відповідних теоретичних моделей. Встановлено основні закономірності формування спектрального відгуку в діапазоні енергій фотонів 1.2÷3.2 еВ. Отримані результати можуть бути використані при розробці електронних пристроїв на ос-нові гетероструктур даного типу. |
|
Перелік посилань |