Оптимізація різних фізичних властивостей перовскітного сонячного елемента на основі CsPbI3 – XBrX (X = 0, 1)
| Автори | Kunal Chakraborty1 , R. Narmadha2 , Islom Kadirov3, Visalakshi Narapareddi4, M. Lakshmu Naidu5, Karedla Chitambara Rao6 |
| Афіліація |
1Department of Electrical Engineering, IMPS College of Engineering and Technology, Malda, West Bengal, India 2Department of Mechatronics, Sathyabama Institute of Science and Technology, Chennai, Tamil Nadu, India 3Department of Transport Systems, Urgench State University, Urgench, Uzbekistan 4School of Business, Aditya University, Aditya Nagar, ADB Rd, 533437 Surampalem, Andhra Pradesh, India 5Department of Electronics and Communication Engineering, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Vaddeswaram, 522302 Guntur, Andhra Pradesh, India 6Department of Electronics and Communication Engineering, Aditya Institute of Technology and Management, 532203 Tekkali, Andra Pradesh, India |
| Е-mail | kunal.eiilm.vu@gmail.com |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 3 |
| Дати | Одержано 27 лютого 2026; у відредагованій формі 21 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026 |
| Цитування | Kunal Chakraborty, R. Narmadha, Islom Kadirov, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03025 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03025 |
| PACS Number(s) | 88.40.jm, 88.40.H – |
| Ключові слова | CsPbI3, CsPbI2Br, Перовскіт (22) , SCAPS-1D (24) , Товщина (20) , PCE (9) . |
| Анотація |
Перовскітні сонячні елементи є найперспективнішими альтернативними джерелами чистої енергії. У роботі було розроблено звичайний галогенідний (CsPbI3) та змішаний галогенідний (CsPbI2Br) PSC для дослідження товщини, температури пристрою та щільності дефектів матеріалу за допомогою симулятора SCAPS-1D за ідеальної температури навколишнього середовища 27 °C. У цій моделі пристрою TiO2 та CuSCN використовуються як ETL (шар переносу електронів) та HTL (шар переносу дірок), а FTO та Ag використовуються як передній та задній електроди відповідно. Структура пристрою – це модель n-i-p типу FTO/TiO2/CsPbI3/CuSCN/Ag та FTO/TiO2/CsPbI2Br/CuSCN/Ag на основі галогенідів та змішаних галогенідів. Оптимізована товщина PSC на основі галогенідів (CsPbI3) та змішаних галогенідів (CsPbI2Br) становить 500 нм. Оптимальна ефективність перетворення для PSC на основі галогенідів та змішаних галогенідів FTO/TiO2/CsPbI3/CuSCN/Ag та FTO/TiO2/CsPbI2Br/CuSCN/Ag становить 11,07 % та 10,89 % відповідно. ЛОС (летучих органічних сполук) PSC на основі галогенідів (CsPbI3) та змішаних галогенідів (CsPbI2Br) у точці максимальної потужності становить 1,21 В та 0,84 В. Оптимальна температура пристрою та щільність дефектів матеріалу для PSC на основі галогенідів (CsPbI3) та змішаних галогенідів (CsPbI2Br) становлять 30 °C та 1012 см – 3 відповідно. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Гетероструктури CoFe2O4/InSe на основі шаруватих кристалів: електричні та фотоелектричні властивості [03001-1-03001-4]2) Методи управління локальністю резонаторних зондів коаксіального типу у НВЧ сенсориці [03002-1-03002-4]
3) Вплив взаємодії інтенсивного УФ-випромінювання з тонкими плівками NZO [03003-1-03003-7]
4) Дослідження наночастинок оксиду кадмію в умовах затухання акустичних ударних хвиль [03004-1-03004-5]
5) Чисельне дослідження пружно-механічних властивостей металоматричного композиту Al/SiC [03005-1-03005-5]
6) Проєктування та оптимізація компактного 2D фотонно-кристалічного фільтра з ромбоподібною порожниною для оптичного зондування [03006-1-03006-6]
7) Органічний світловипромінювальний пристрій на основі квантової ями з настроюванням за кольором [03007-1-03007-5]
8) Наномодифіковані полімерні композитні бандажні системи для ремонту трубопроводів газо-нафтотранспортного комплексу [03008-1-03008-7]
9) Вплив сильного пустельного пилу на багатохвильові оптичні лінії у вільному просторі: порівняльне дослідження для 850, 1550 та 3800 нм [03009-1-03009-9]
10) Вплив допування Bi на оптичні та структурні властивості тонких плівок ZnO: роль енергії Урбаха та механічних напружень [03010-1-03010-7]
11) Еліпсометрична характеристика наноструктур SiO2/Au/Cr для стабільних ППР-сенсорів [03011-1-03011-5]
12) Сучасні інструменти САПР для одноелектронних нанопристроїв [03012-1-03012-6]
13) Створення мікросмужкового сенсора гігагерцового діапазону для контролю легування напівпровідникових структур [03013-1-03013-5]
14) Вплив матеріалу корпусу на електричні характеристики двозатворного JLFET з піднятим витоком-стоком [03014-1-03014-5]
15) Антена з дефектами заземлення у формі кулі та прямокутника для зв'язку 5G середнього діапазону нижче 6 ГГц [03015-1-03015-5]
16) Проєктування та аналіз антени на основі полібавовняної підкладки для міліметрових хвиль 5G та застосувань WBAN [03016-1-03016-5]
17) Дводіапазонна кругла патч-антена з F-подібними прорізами для бездротових застосувань в S- та C-діапазонах [03017-1-03017-5]
18) Розробка унікальної смугово-частотної селективної поверхні для радіолокаційного застосування [03018-1-03018-5]
19) Компактна Т-подібна кругла патч-антена для застосувань у C-діапазоні [03019-1-03019-5]
20) Частотно-селективна поверхня (FSS) з високою кутовою стабільністю та нечутливими до поляризації характеристиками для широкосмугових застосувань [03020-1-03020-5]
21) Плазмонний зв’язок у димерах наночастинок срібла: 3D-FDTD Моделювання оптичного відгуку, що залежить від відстані [03021-1-03021-5]
22) Аналіз еліптичної патч-антени для супутникового зв’язку C-діапазону [03022-1-03022-4]
23) Розробка та аналіз Т-подібної антени міліметрового діапазону на частоті 47 ГГц у застосунку 6G [03023-1-03023-5]
24) Компактна кругла пелюсткова фрактальна антена з дефектною структурою заземленої площини для радіолокаційних застосувань 5G та X-діапазону в діапазоні менше 6 ГГц [03024-1-03024-4]
25) Компактна дводіапазонна патч-антена у формі квітки з прямокутним DGS для застосувань WLAN/WiMAX [03026-1-03026-4]
26) Проєктування та оптимізація MIMO-антени з рослинною структурою для передових бездротових систем Wi-Fi 6E [03027-1-03027-5]
27) Полімерні нанокомпозитні плівки, леговані п’єзоелектричними наночастинками оксидів металів [03028-1-03028-6]
28) Електронна енергетична структура GaAs легованого Sc [03029-1-03029-7]
29) Оптична антена-резонатор на основі металевої витягнутої сфероїдальної наночастинки [03030-1-03030-8]
30) InN-діоди Ганна субміліметрового діапазону з варізонним GaInN-інжектором [03031-1-03031-10]
31) Дослідження структурних та оптичних властивостей тонких плівок Er2O3, вирощених методом спрей-піролізу з нітрату ербію [03032-1-03032-7]
32) Оцінка дії мікроорганізмів на епоксидні нанокомпозити для обладнання газо-нафтотранспортного комплексу [03033-1-03033-7]
33) Регламент формування зони теплового впливу підземного теплообмінника як фактора екологічного ризику для ґрунтового середовища [03034-1-03034-7]
34) Моделювання феромагнетизму кімнатної температури в гідрованому колегованому ZnO за раціональною функцією [03035-1-03035-4]
35) Чотириелементна MIMO-антена з рознесенням діаграм спрямованості та покращеною ізоляцією для міліметрових хвиль 5G [03036-1-03036-7]
36) Високоякісні тонкі плівки Co3S4 з електропровідністю, отримані методом розпилювального піролізу [03037-1-03037-6]
