| Автори | І.С. Вірт1, Н.В. Барчук1, П. Потера2, М.В. Чекайло3 |
| Афіліація |
1Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, 82100 Дрогобич, Україна 2Жешувський університет, 35-310 Жешув, Польша 3Національний університет “Львівська політехніка”, 79000 Львів, Україна |
| Е-mail | isvirt@dspu.edu.ua |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 3 |
| Дати | Одержано 13 квітня 2026; у відредагованій формі 19 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026 |
| Цитування | І.С. Вірт, Н.В. Барчук, П. Потера, М.В. Чекайло, Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03003 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03003 |
| PACS Number(s) | 61.80.Ba, 61.82.Fk, 71.55.Gs |
| Ключові слова | Оксид цинку (31) , Тонкі плівки (82) , Фотонний відпал, Морфологія поверхні (12) , Електрофізичні вастивості, Фотоелектричні та Оптичні характеристики. |
| Анотація |
У даній роботі досліджено фізичні властивості тонких плівок оксиду цинку (зокрема, легованих нікелем NZO). Плівки вирощені як на жорстких, так і на гнучких підкладках за допомогою технології імпульсного лазерного напилення (PLD). У роботі показано та обговорено вплив параметрів та умов процесу фотонного відпалу на мікроструктурні, електричні та оптичні властивості наноструктури NZO. Після вирощення плівки відпалені УФ-випромінюванням. Результати показали, що процес відпалу суттєво змінив кристалічну структуру як в об'ємі, так і на поверхні. При оптимальній опроміненості 20 кДж/см2 у випадку жорсткої підкладки та 36 кДж/см2 у випадку гнучкої підкладки. Таким чином можна виготовити нову наноструктуровану поверхню з бажаними властивостями. Ці властивості контролюються в межах параметрів, що складаються з щільності потоку фотонів та часу експозиції. Дані дослідження підтверджують запропоновану модель поведінки дефектів для матеріалу ZnO та модель його електронних параметрів.УФ-відпал є хорошою низькотемпературною технологією модифікації параметрів напівпровідника для застосування в гнучких пристроях. Зменшення дефектів по кисню узгоджується зі спостережуваною поведінкою вимірювальних електричних та оптичних характеристик. Одержані результати можуть стати важливою відправною точкою для розробки гнучких фотосенсорів та сумісної біоелектроніки. |
|
Перелік посилань |