Вплив взаємодії інтенсивного УФ-випромінювання з тонкими плівками NZO

Автори І.С. Вірт1, Н.В. Барчук1, П. Потера2, М.В. Чекайло3
Афіліація

1Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, 82100 Дрогобич, Україна

2Жешувський університет, 35-310 Жешув, Польша

3Національний університет “Львівська політехніка”, 79000 Львів, Україна

Е-mail isvirt@dspu.edu.ua
Випуск Том 18, Рік 2026, Номер 3
Дати Одержано 13 квітня 2026; у відредагованій формі 19 червня 2026; опубліковано online 26 червня 2026
Цитування І.С. Вірт, Н.В. Барчук, П. Потера, М.В. Чекайло, Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 3, 03003 (2026)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.18(3).03003
PACS Number(s) 61.80.Ba, 61.82.Fk, 71.55.Gs
Ключові слова Оксид цинку (31) , Тонкі плівки (82) , Фотонний відпал, Морфологія поверхні (12) , Електрофізичні вастивості, Фотоелектричні та Оптичні характеристики.
Анотація

У даній роботі досліджено фізичні властивості тонких плівок оксиду цинку (зокрема, легованих нікелем NZO). Плівки вирощені як на жорстких, так і на гнучких підкладках за допомогою технології імпульсного лазерного напилення (PLD). У роботі показано та обговорено вплив параметрів та умов процесу фотонного відпалу на мікроструктурні, електричні та оптичні властивості наноструктури NZO. Після вирощення плівки відпалені УФ-випромінюванням. Результати показали, що процес відпалу суттєво змінив кристалічну структуру як в об'ємі, так і на поверхні. При оптимальній опроміненості 20 кДж/см2 у випадку жорсткої підкладки та 36 кДж/см2 у випадку гнучкої підкладки. Таким чином можна виготовити нову наноструктуровану поверхню з бажаними властивостями. Ці властивості контролюються в межах параметрів, що складаються з щільності потоку фотонів та часу експозиції. Дані дослідження підтверджують запропоновану модель поведінки дефектів для матеріалу ZnO та модель його електронних параметрів.УФ-відпал є хорошою низькотемпературною технологією модифікації параметрів напівпровідника для застосування в гнучких пристроях. Зменшення дефектів по кисню узгоджується зі спостережуваною поведінкою вимірювальних електричних та оптичних характеристик. Одержані результати можуть стати важливою відправною точкою для розробки гнучких фотосенсорів та сумісної біоелектроніки.

Перелік посилань