Автори | N.F. Zikrillayev1, S.B. Isamov1 , B.O. Isakov1, T. Wumaier2, Li wen Liang2, J.X. Zhan2, T. Xiayimulati2 |
Афіліація |
1Tashkent State Technical University, 100095 Tashkent, Uzbekistan 2Xinjiang Institute of Engineering, 830023 Urumchi, China |
Е-mail | |
Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 6 |
Дати | Одержано 26 серпня 2023; у відредагованій формі 14 грудня 2023; опубліковано online 27 грудня 2023 |
Цитування | N.F. Zikrillayev, S.B. Isamov, B.O. Isakov, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 6, 06024 (2023) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06024 |
PACS Number(s) | 61.72.uf, 68.43.Jk |
Ключові слова | Напівпровідник (52) , Бінарні кластери, Елементарні клітини, Самоорганізація (7) , Самоструктура, Наноструктура (16) , Нанокристал (46) , Світлочутливість, Комбінації (3) , Багатоступеневі фотоелементи. |
Анотація |
Розроблено дифузійну технологію формування бінарних кластерів в кремії за участю елементів III і V груп. Показано, що шляхом контролю концентрації елементів атомів III і V групи можна сформувати багатошарові гетеропереходи на основі кремнію в поверхневій області кремнію зі збагаченими нанокристалами AIIIBV, а потім збагаченими різними комбінаціями елементарних комірок Si2AIIIBV (1 – 5 мкм товщиною). Це створює практичний новий матеріал на основі кремнію - безперервну варизонну структуру завдяки плавному переходу від забороненої зони напівпровідникових сполук III – V до забороненої зони кремнію. |
Перелік посилань |