Органічний польовий транзистор на основі полі-3-гексилтіофену як датчик парів аміаку

Автори Akhiruddin Maddu, Andri Gunawan, Irmansyah Irmansyah
Приналежність

Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, IPB University, 16680 Bogor, Indonesia

Е-mail
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 6
Дати Одержано 19 серпня 2023; у відредагованій формі 21 грудня 2023; опубліковано online 27 грудня 2023
Посилання Akhiruddin Maddu, Andri Gunawan, Irmansyah Irmansyah, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 6, 06020 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06020
PACS Number(s) 85.30.Tv
Ключові слова Аміак (7) , Польовий транзистор (15) , Полі-3-гексилтіофен, SiO2 (9) .
Анотація

Органічний польовий транзистор (OFET) на основі полі-3-гексилтіофену (P3HT) як активного шару був розроблений для виявлення парів аміаку. Діоксид кремнію (SiO2) як шар діелектрика на цьому польовому транзисторі вирощується на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом нагрівання в атмосфері кисню в печі при 1000 C протягом 3 годин, газоподібний кисень (O2) надходить у піч під час процесу нагрівання. Результати характеристик енергодисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDS) показали, що кремнієва підкладка, яка була окислена, містила близько 35 % O2. P3HT як активний шар був вирощений на поверхні шару SiO2 за допомогою методу центрифугування. ВАХ польового транзистора показує, що на струм стік-витік (IDS) впливає зміна напруги затвора (VG). Чим більша VG, тим вищий отриманий ідентифікатор. Вплив парів аміаку показує, що вплив IDS на ВАХ зменшується зі збільшенням концентрації парів аміаку. Динамічний відгук польового транзистора на пари аміаку показує, що чим більше VG, тим вище чутливість пристрою. Для VG = 0 вольт чутливість польового транзистора при вимірюванні аміаку становить 0,236 вольт/%, тоді як для VG = – 8 вольт чутливість польового транзистора при вимірюванні аміаку становить 0,264 вольт/%.

Перелік посилань