Новий аналітичний підхід до ідентифікації фізичних параметрів контакту сонячних елементів

Активно проводяться дослідження для підвищення ефективності та продуктивності фотоелектричних і термофотоелектричних систем і елементів. Для покращення конструкції та характеристик таких систем, де зазвичай використовуються напівпровідникові переходи, необхідно розуміти електричні властивості цих пристроїв і процеси провідності на межу поділу структури. Відомо, що робота та характеристики фотоелектричних компонентів тісно пов’язані з так званим темновим струмом. Знання походження цього струму дозволяє покращити структурну конфігурацію пристрою, наприклад, шляхом регулювання товщини напівпровідникових шарів і концентрації їх легування. Однак моделі сонячних батарей мають нелінійну форму з численними параметрами. Для отримання точних значень параметрів, необхідно зробити припущення, які відрізняються від реальних робочих умов, щоб уникнути складності обчислень. У даній роботі ми запропонували новий аналітичний підхід до аналізу експериментальної щільності струму-напруги моделей сонячних елементів і чисельного вилучення внутрішніх параметрів сонячних елементів (тобто коефіцієнта ідеальності та послідовного опору) . Наш підхід дає хороші результати, він простий у використанні та має перевагу незалежності від кроку напруги на відміну від похідної та інтеграла. Також нами була застосована дана методика до цілої кривої густина струму-напруга сонячного елемента, і отримані хороші результати.