Діод на основі InPAs як активний елемент терагерцового діапазону

Автори К.Г. Приходько , О.В. Боцула
Приналежність

Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, пл. Свободи, 4, 61077 Харків, Україна

Е-mail kyrylo.prykhodko@karazin.ua
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 6
Дати Одержано 15 жовтня 2023; у відредагованій формі 18 грудня 2023; опубліковано online 27 грудня 2023
Посилання К.Г. Приходько, О.В. Боцула, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 6, 06019 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06019
PACS Number(s) 85.30.Fg, 73.40.Kp, 73.40. – c
Ключові слова Варізонний шар (2) , Напруженість електричного поля (5) , Ударна іонізація (5) , Рівень легування (5) , Коливання струму (2) , Частотний діапазон (4) , Ефективність генерації (6) .
Анотація

Проведено дослідження електромагнітних коливань у довгохвильовій частині терагерцового діапазону варізонними діодами на основі InPAs. Ці діоди містять InP катодний шар шар та варізонний шар InPAs з використанням InP0.2As0.8 на анодному контакті. Розглядалися діоди довжиною 500, 640 і 1280 нм. Концентрація донорів в активній області діода становить 1017 см – 3. Визначено характеристики діодів на постійному струмі та оцінено їх частотні властивості в режимі генерації коливань. Моделювання проводилося за допомогою багаточасткового методу Монте – Карло з урахуванням ударної іонізації. Характеристики діодів порівнювались з отриманими для діодів без урахування ударної іонізації.Показано, що ВАХ коротких варизонних діодів не містить області з негативною диференціальною провідністю. В умовах ударної іонізації ці діоди демонструють збільшення струму. Хоча ці діоди залишаються стабільними, у резонансних контурах вони демонструють нестійкості струму типу зарядженого шару та генерацію коливань. Дослідження показало, що максимальна ефективність генерації становить приблизно 10 %, спостерігається в діодах довжиною 1280 нм на частоті 100 ГГц. У більш коротких діодах ефективність знижується до 3,9 % і 2,0 % у діодах довжиною 640 і 500 нм відповідно. Гранична частота генерації була близько 400 ГГц в діодах довжиною 500 нм. Було виявлено, що ударна іонізація призводить до зниження ефективності без погіршення частотних властивостей діодів. І навпаки, у випадку діода 1280 нм вона покращує частотні властивості, дозволяючи застосування варізонних діодів з ударною іонізацією для отримання максимальних частот.

Перелік посилань