Гетероструктури p-SnS/n-InSe створені методом спрей-піролізу

Автори І.Г. Ткачук1 , І.Г. Орлецький2 , З.Д. Ковалюк1 , В.І. Іванов1 , А.В. Заслонкін1
Приналежність

1Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001, Чернівці, Україна

2Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012, Чернівці, Україна

Е-mail ivan.tkachuk.1993@gmail.com
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 6
Дати Одержано 12 вересня 2023; у відредагованій формі 20 грудня 2023; опубліковано online 27 грудня 2023
Посилання І.Г. Ткачук, І.Г. Орлецький, З.Д. Ковалюк, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 6, 06028 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06028
PACS Number(s) 73.40. – c, 78.66. – w
Ключові слова Селенід Індію (12) , Сульфід олова (2) , Гетероструктури (6) , Спрей-піроліз (13) , Вольт-амперні характеристики (12) , Електропровідність (30) , Фоточутливість (7) .
Анотація

Дана робота присвячена виготовленню та дослідженню електричних та фотоелектричних характеристик анізотипних гетеропереходів p-SnS/n-InSe. Для нанесення тонких плівок SnS на кристалічні підкладки InSe використовувалась технологія низькотемпературного спрей-піролізу. На основі аналізу температурних залежностей прямих і зворотних гілок вольт-амперних характеристик досліджено динаміку зміни енергетичних параметрів гетеропереходу. Запропоновано теоретичні моделі, що описують поведінку прямих та зворотних гілок вольт-амперних характеристик. Визначено величину послідовного та шунтуючого опорів, а також їх вплив на вольт-амперні характеристики гетеропереходу. Оцінено величину контактної різниці потенціалу. Встановлено основні механізми протікання струму. Досліджена спектральна залежність квантової ефективності опроміненої зі сторони плівки SnS гетероструктури p-SnS/n-InSe в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3.2 eV.

Перелік посилань