Автори | І.Г. Ткачук1 , І.Г. Орлецький2 , З.Д. Ковалюк1 , В.І. Іванов1 , А.В. Заслонкін1 |
Афіліація |
1Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001, Чернівці, Україна 2Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012, Чернівці, Україна |
Е-mail | ivan.tkachuk.1993@gmail.com |
Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 6 |
Дати | Одержано 12 вересня 2023; у відредагованій формі 20 грудня 2023; опубліковано online 27 грудня 2023 |
Цитування | І.Г. Ткачук, І.Г. Орлецький, З.Д. Ковалюк, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 6, 06028 (2023) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06028 |
PACS Number(s) | 73.40. – c, 78.66. – w |
Ключові слова | Селенід Індію (13) , Сульфід олова (2) , Гетероструктури (9) , Спрей-піроліз (14) , Вольт-амперні характеристики (14) , Електропровідність (33) , Фоточутливість (8) . |
Анотація |
Дана робота присвячена виготовленню та дослідженню електричних та фотоелектричних характеристик анізотипних гетеропереходів p-SnS/n-InSe. Для нанесення тонких плівок SnS на кристалічні підкладки InSe використовувалась технологія низькотемпературного спрей-піролізу. На основі аналізу температурних залежностей прямих і зворотних гілок вольт-амперних характеристик досліджено динаміку зміни енергетичних параметрів гетеропереходу. Запропоновано теоретичні моделі, що описують поведінку прямих та зворотних гілок вольт-амперних характеристик. Визначено величину послідовного та шунтуючого опорів, а також їх вплив на вольт-амперні характеристики гетеропереходу. Оцінено величину контактної різниці потенціалу. Встановлено основні механізми протікання струму. Досліджена спектральна залежність квантової ефективності опроміненої зі сторони плівки SnS гетероструктури p-SnS/n-InSe в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3.2 eV. |
Перелік посилань |