Вирощування кристалів та електрооптичні характеристики сполуки In2Se2.7Sb0.3
| Автори | Piyush Patel1, S.M. Vyas2, Vimal Patel2, Himanshu Pavagadhi2 |
| Афіліація |
1Department of Physics, Khyati Institute of Science, Khyati Foundation, Gujarat, India 2Department of Physics, School of Sciences, Gujarat University, Ahmedabad, 380009 Gujarat, India |
| Е-mail | physicsathgce@gmail.com |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 4 |
| Дати | Одержано 08 лютого 2020; у відредагованій формі 15 серпня 2020; опубліковано online 25 серпня 2020 |
| Цитування | Piyush Patel, S.M. Vyas, Vimal Patel, Himanshu Pavagadhi, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 4, 04022 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(4).04022 |
| PACS Number(s) | 81.10. – h, 72.20. – i, 78.20. – e |
| Ключові слова | Особливості поверхні, Ріст шару, Техніка Бріджмана, Питомий опір (16) , Оптична ширина забороненої зони (7) . |
| Анотація |
III-VI групи напівпровідних матеріалів в основному використовуються для розробки детекторів іонізуючого випромінювання, твердотільних електродів, а також сонячних комірок, світлочутливих гетероструктур та іонних батарей. Шарова структура напівпровідникових кристалів III-VI групи була ретельно вивчена як двовимірна кристалічна система. Напівпровідник In2Se3 із загальною формулою сполуки A2B3 має гексагональну кристалічну структуру. Сполуку 22.70.3 вирощували за допомогою техніки Бріджмана. Температурний градієнт замерзання становив 60/см, і кристали найкращої якості були отримані зі швидкістю росту 0,35 см/год. Досконалість кристала вивчалася під оптичним мікроскопом, з різною ознакою росту, який спостерігається на верхній вільній поверхні кристала, що є переважаючим механізмом росту шару. Для перевірки наявності складових елементів сполуки 22.70.3 використовувалася методика EDAX. Утворення дефектів в кристалах робить можливим зростання в умовах, близьких до рівноваги. У роботі атомно-силовою мікроскопією проведено морфологічне дослідження поверхні кристалічної сполуки. Використовуючи чотиризондової методики досліджено температурну залежність електричного питомого опору сполуки 22.70.3. Ширину забороненої зони визначали за допомогою спектрофотометра у діапазоні довжин хвиль від 200 нм до 900 нм. Результати та висновки з цих характеристик повідомляються в даній статті. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Виготовлення та характеристика поліанілінових нановолоконних плівок різними методиками [04001-1-04001-5]2) Нелінійна модель розм’якшення поверхні льоду при терті, що враховує просторову неоднорідність температури [04002-1-04002-6]
3) Вплив різних режимів термічної обробки на електричні властивості та мікроструктуру n-Si [04003-1-04003-5]
4) Синтез та характеристика температурно-контрольованих наночастинок SnO2, виготовлених методом твердотільної реакції [04004-1-04004-6]
5) Моделювання динаміки руйнування двовимірного карбіду титану Ti2C при різних типах навантаження розтягу [04005-1-04005-4]
6) Особливості структурної організації наноалмазів у матриці поліетиленгліколю [04006-1-04006-6]
7) Характеристика кристалічної структури та магнітних властивостей результатів синтезу наночастинок таотриманих за допомогою методу співосадження [04007-1-04007-4]
8) Вплив рН на морфологію структури і магнітні властивості впорядкованої фази наночастинок кобальт-заміщеного літієвого фериту, синтезованого золь-гель методом [04008-1-04008-7]
9) Низькопрофільна ультраширокосмугова мікросмужкова антена на основі LTCC для додатків міліметрового діапазону до 100 ГГц [04009-1-04009-6]
10) Виготовлення та інтерпретація композиту цинку-церію: структурні та теплові дослідження [04010-1-04010-5]
11) Особливості початкової стадії формування квазікристалічних тонких плівок системи Ti-Zr-Ni [04011-1-04011-6]
12) Структурні дослідження механічно легованого порошку [04012-1-04012-5]
13) Адсорбція водню на іонах Li+ та Na+, оздоблених короненом та корануленом: DFT, SAPT0 та IGM дослідження [04013-1-04013-6]
14) Реалізація системи зонду Кельвіна для обробки поверхні напівпровідника [04014-1-04014-6]
15) Вплив слабкого обмеження на оптичні властивості хімічно синтезованих наночастинок ZnS [04015-1-04015-5]
16) Вплив векторного параметра порядку на динаміку 3D ультракоротких імпульсів у вуглецевих нанотрубках [04016-1-04016-4]
17) Структурні, оптичні та електричні властивості легованих Ce наночастинок SnO2, підготовлених методом горіння гелю з додаванням поверхнево-активних речовин [04017-1-04017-6]
18) Структурно-механічні дослідження сегнетоелектриків BaxPb1 − xTiO3 в залежності від температури спікання [04018-1-04018-5]
19) Вплив концентрації наночастинок на характеристики трансформаторної олії [04019-1-04019-4]
20) Вплив структури поруватого шару кремнію на адсорбцію газів [04020-1-04020-5]
21) Випромінювання світла з кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією [04021-1-04021-5]
22) Енергія електронів у прямокутних та циліндричних квантових дротах [04023-1-04023-5]
23) Комірка пам'яті 6T-SRAM з наднизьким енергоспоживанням, високим SNM, швидкодією і високою температурою в 3C-SiC за 130 нм технологією CMOS [04024-1-04024-4]
24) Вимірювання кута атаки ракетного аерофізічного комплексу в польоті на основі датчика Холла і електронної вимірювальної системи [04025-1-04025-5]
25) Особливості пружних та непружних властивостей радіаційно зв’язаних гідрогелів [04026-1-04026-5]
26) Структурні та оптичні властивості полікристалічного нанопорошку ZnO, синтезованого методом прямого осадження [04027-1-04027-5]
27) Удосконалення базової моделі сонячного колектора для PVT системи [04028-1-04028-5]
28) Вплив оксиду графену на властивості та вивільнення лікарських засобів з апатит-полімерних композитів [04029-1-04029-7]
29) Адгезійна міцність нанокомпозитних покриттів TiZrN/TiSiN на підкладці зі сталі з перехідним підшаром [04030-1-04030-6]
30) Термічний вплив на морфологію поверхні іонно-плазмового покриття [04031-1-04031-5]
31) Деякі властивості та структурні особливості композитних ПВХ/Сu плівок з наночастинками міді, отриманих методом електричного вибуху провідника [04032-1-04032-5]
32) Порівняльний аналіз застосування деяких карбонових матеріалів як контрастних речовин для фотоакустичної томографії [04033-1-04033-6]
33) Динаміка електропружної сферичної оболонки з заповнювачем при прийомі звуку [04034-1-04034-7]
34) Вплив хімічного складу і температури електроліту на розмір та структуру нанокристалів сульфіду кадмію, отриманих електролітичним методом [04035-1-04035-6]
35) Морфологічні особливості нанопористої структури гранул аміачної селітри на стадії фінального сушіння в багатоступеневих апаратах [04036-1-04036-6]
36) До теорії супергетеродинних ЛВЕ з поздовжнім електростатичним ондулятором [04037-1-04037-5]
37) Експериментальне дослідження розподілу енергії при осадженні сфокусованим іонним променем в іонно-променевій літографії [04038-1-04038-3]
38) Особливості магнетокалорічного ефекту в феромагнітних циліндричних нанодротах, що містять доменну стінку [04039-1-04039-3]
