Вирощування кристалів та електрооптичні характеристики сполуки In2Se2.7Sb0.3

Автори Piyush Patel1, S.M. Vyas2, Vimal Patel2, Himanshu Pavagadhi2
Приналежність

1Department of Physics, Khyati Institute of Science, Khyati Foundation, Gujarat, India

2Department of Physics, School of Sciences, Gujarat University, Ahmedabad, 380009 Gujarat, India

Е-mail physicsathgce@gmail.com
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 4
Дати Одержано 08 лютого 2020; у відредагованій формі 15 серпня 2020; опубліковано online 25 серпня 2020
Посилання Piyush Patel, S.M. Vyas, Vimal Patel, Himanshu Pavagadhi, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 4, 04022 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(4).04022
PACS Number(s) 81.10. – h, 72.20. – i, 78.20. – e
Ключові слова Особливості поверхні, Ріст шару, Техніка Бріджмана, Питомий опір (15) , Оптична ширина забороненої зони (6) .
Анотація

III-VI групи напівпровідних матеріалів в основному використовуються для розробки детекторів іонізуючого випромінювання, твердотільних електродів, а також сонячних комірок, світлочутливих гетероструктур та іонних батарей. Шарова структура напівпровідникових кристалів III-VI групи була ретельно вивчена як двовимірна кристалічна система. Напівпровідник In2Se3 із загальною формулою сполуки A2B3 має гексагональну кристалічну структуру. Сполуку 22.70.3 вирощували за допомогою техніки Бріджмана. Температурний градієнт замерзання становив 60/см, і кристали найкращої якості були отримані зі швидкістю росту 0,35 см/год. Досконалість кристала вивчалася під оптичним мікроскопом, з різною ознакою росту, який спостерігається на верхній вільній поверхні кристала, що є переважаючим механізмом росту шару. Для перевірки наявності складових елементів сполуки 22.70.3 використовувалася методика EDAX. Утворення дефектів в кристалах робить можливим зростання в умовах, близьких до рівноваги. У роботі атомно-силовою мікроскопією проведено морфологічне дослідження поверхні кристалічної сполуки. Використовуючи чотиризондової методики досліджено температурну залежність електричного питомого опору сполуки 22.70.3. Ширину забороненої зони визначали за допомогою спектрофотометра у діапазоні довжин хвиль від 200 нм до 900 нм. Результати та висновки з цих характеристик повідомляються в даній статті.

Перелік посилань