Автори | K.C. Handique, P.K. Kalita |
Афіліація |
Rajiv Gandhi University, Department of Physics, Itanagar 791112, Arunachal Pradesh, India |
Е-mail | kshirud.handique@rgu.ac.in |
Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 4 |
Дати | Одержано 12 квітня 2020; у відредагованій формі 20 серпня 2020; опубліковано online 25 серпня 2020 |
Цитування | K.C. Handique, P.K. Kalita, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 4, 04015 (2020) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(4).04015 |
PACS Number(s) | 78.67.Bf, 81.07.Bc |
Ключові слова | Наноструктура ZnS, Слабке обмеження, Діаграма W-H, Спектр фотолюмінесценції (2) , Емісія дефектів. |
Анотація |
Наноструктури сульфіду цинку були синтезовані хімічним шляхом для різних складів спів-відношення Zn/S. XRD дослідження виявило полікристалічну гексагональну структуру для всіх зразків. Діаграма W-H показує розміри частинок в діапазоні від 29,54 нм до 41,36 нм і деформації від 0,021 до 0,026. Більший розмір частинок підтримує слабке квантове обмеження в зразках. Оптичні дослідження не виявили значного збільшення ширини забороненої зони. Використовуючи одновимірну модель слабкого обмеження отримано рівні переходу для емісії дефектів у видиму область. |
Перелік посилань |