Розсіювання електронів для одновісно деформованих монокристалів n-Ge

Автори С.В. Луньов
Приналежність

Луцький національний технічний університет, вул. Львівська, 75, 43018 Луцьк, Україна

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 3
Дати Одержано 10.03.2015; опубліковано online 20.10.2015
Посилання С.В. Луньов, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03029 (2015)
DOI
PACS Number(s) 72.10. – d, 72.20.Fr
Ключові слова Одновісна деформація (2) , Еквівалентне та нееквівалентне міждолинне розсіяння, Монокристали n-Ge, L1 та Δ1 мінімуми, Стала Холла.
Анотація Досліджено розсіяння електронів в (L1 – ∆1) моделі зони провідності монокристалів n-Ge, утвореної одновісним тиском вздовж кристалографічного напрямку [100]. Одержані експериментальні результати та проведені теоретичні розрахунки температурних залежностей питомого опору для одновісно деформованих монокристалів n-Ge показують, що для діапазону одновісних тисків від 1,4 до 2,3 ГПа суттєвим стає нееквівалентне міждолинне розсіяння електронів між L1 та Δ1 мінімумами, відносний вклад якого залежить від величини одновісного тиску. Наявність максимуму для залежностей сталої Холла від одновісного тиску при P ~ 2,1 ГПа, коли енергетична щілина між L1 та Δ1 “захлопується”, пояснюється найбільшою ефективність даного механізму розсіяння при таких тисках.

Перелік посилань