Автори | Я.О. Сичікова |
Афіліація | Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71106 Бердянськ, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 3 |
Дати | Одержано 02.05.2015; опубліковано online 20.10.2015 |
Цитування | Я.О. Сичікова, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03017 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m |
Ключові слова | Нітрид індію (3) , Поруватий фосфід індію (2) , Буферний шар (5) , Епітаксія (6) , Електрохімічне травлення (12) , Період ґратки. |
Анотація | У роботі представлено методику отримання плівки InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. |
Перелік посилань English version of article |