Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію

Автори Я.О. Сичікова
Приналежність

Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71106 Бердянськ, Україна

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 3
Дати Одержано 02.05.2015; опубліковано online 20.10.2015
Посилання Я.О. Сичікова, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03017 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключові слова Нітрид індію (3) , Поруватий фосфід індію (2) , Буферний шар (5) , Епітаксія (5) , Електрохімічне травлення (12) , Період ґратки.
Анотація У роботі представлено методику отримання плівки InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення.

Перелік посилань

English version of article