Автори | А.П. Саміла1 , В.О. Хандожко2, З.Д. Ковалюк3 |
Афіліація | 1 Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58000 Чернівці, Україна 2 Телерадіокомпанія «НБМ», вул. Електриків, 26, 04176 Київ, Україна 3 Інститут проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича Національної академії наук України, Чернівецьке відділення, вул. Ірини Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна |
Е-mail | asound@ukr.net |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 3 |
Дати | Одержано 21.05.2015; у відредагованій формі – 23.06.2015; опубліковано online 20.10.2015 |
Цитування | А.П. Саміла, В.О. Хандожко, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03024 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 76.60.Gv, 07.20.Dt, 07.07.Df |
Ключові слова | Ядерний квадрупольний резонанс (2) , ПЛІС, InSe (5) , GaSe (4) , Сенсори температури і тиску. |
Анотація | Методами імпульсної радіоспектроскопії ЯКР з швидким перетворенням Фур'є сигналів спінової індукції досліджено температурні та баричні залежності ЯКР в моноселенідах індію та галію. Імпульсний спектрометр ЯКР реалізований на основі багатофункціонального програмно керованого цифрового обчислювального ядра на ПЛІС Altera Cyclone. Зі спектрів ЯКР ізотопів 69Ga і 115In встановлено, що напівпровідникові сполуки GaSe та InSe можна застосувати при створенні сенсорів температури в інтервалі 20÷130 ºС. Для обох досліджених кристалів точність визначення температури складає ± 0,05 ºС. Встановлено, що застосування даних шаруватих сполук для вимірювань одновісного тиску за допомогою ЯКР можливо при тисках до 50÷100 кг/см2, де прояв гістерезису не суттєвий. |
Перелік посилань |