Автори | О.В. Приходько |
Афіліація | Запорізький національний університет, вул. Жуковського, 66, 69600 Запоріжжя, Україна |
Е-mail | avp@znu.edu.ua |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 3 |
Дати | Одержано 24.02.2015; опубліковано online 20.10.2015 |
Цитування | О.В. Приходько, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03007 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 88.40.jj |
Ключові слова | Сонячний елемент (34) , mc-Si (2) , Втрати фактору заповнення, Паразитний омічний опір (2) , Темновий струм насичення (2) , Фактор ідеальності діоду. |
Анотація | Досліджено нефундаментальні втрати ефективності сонячних елементів із мультикристалічного кремнію. Вони значною мірою визначаються якістю діоду і паразитними омічними опорами, що приводять до зменшення коефіцієнту заповнення. Втрати фактору заповнення сонячних елементів із мультикристалічного кремнію були проаналізовані за допомогою випробувань промислової партії сонячних елементів в умовах випромінювання AM1.5. Спостережуване зменшення фактору заповнення при збільшені як струму насичення, так і фактору ідеальності діоду пояснюється їхньою експоненціальною залежністю, яка була встановлена експериментально. Додатково, було оцінено і обговорено втрати максимальної потужності сонячних елементів через омічні паразитні опори. Отримані результати можуть бути використані для підвищення ефективності сонячних елементів і, таким чином, знизити вартість сонячної електроенергії. |
Перелік посилань |