Синтез тонких плівок SnO2 для вимірювання газу органічними сонячними елементами
| Автори | Y. Aoun1 , S. Benramache2 , B. Maaoui1, A. Sbaihi1 |
| Приналежність |
1Mechanics Department, University of El-Oued, 39000, El-Oued, Algeria 2Material Sciences Department, Faculty of Science, University of Biskra, 07000, Algeria |
| Е-mail | saidbenramache07@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 1 |
| Дати | Одержано 17 грудня 2023; у відредагованій формі 21 лютого 2024; опубліковано online 28 лютого 2024 |
| Посилання | Y. Aoun, S. Benramache, B. Maaoui, A. Sbaihi, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 1, 01023 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(1).01023 |
| PACS Number(s) | 88.40.jr |
| Ключові слова | SnO2 (11) , Тонкі плівки (64) , Пневматичний метод розпилення, Oрганічні сонячні елементи, Eлектропровідність (2) . |
| Анотація |
У роботі тонкі плівки SnO2 були синтезовані на скляній підкладці пневматичним методом розпилення з 0,1 М з використанням дегідрату хлориду олова при 450 °C органічними сонячними елементами. Досліджено вплив швидкості осадження (5, 10 і 15 мл) на структурні, оптичні та електричні властивості SnO2. Було виявлено, що розроблені тонкі плівки SnO2 мають полікристалічну структуру з максимальним розміром кристалітів 35,3 нм на 10 мл. Коефіцієнт пропускання тонких плівок SnO2 зменшувався і збільшувався зі збільшенням швидкості SnO2 у видимій області і становив близько 60%, оптична енергія забороненої зони збільшувалася зі збільшенням швидкості SnO2 від 3,2 еВ для 5 мл до 3,6 еВ для 15 мл. Електропровідність була збільшена з 0,01 (Ω×см) – 1 для 05 мл SnO2 до 0,06 (Ω×см) для 15 мл SnO2. Підготовлена тонка плівка SnO2 може бути використана для датчиків газу. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Мікрополоскова патч-антена з високим коефіцієнтом посилення з круглим слотом для додатків WiGig у V-діапазоні [01001-1-01001-5]2) Широкосмуговий метаповерхневий поглинач із ультратонкими та гнучкими функціями для мікрохвильових застосувань [01002-1-01002-6]
3) Механічні властивості сплавів Pb–Sn–Ba для струмовідводів свинцево-кислотних акумуляторів, отриманих методом гартування з розплаву [01003-1-01003-6]
4) Вплив накопичення домішкових атомів Ni та Fe на електрофізичні властивості монокристалів Si [01004-1-01004-4]
5) Визначення критичних значень параметрів системи нерухомих електронних потоків при обробці оксидних покриттів на протяжних оптичних елементах [01005-1-01005-7]
6) Ефект електрон-фононної взаємодії в питомому опорі металевих плівок як елементів сенсорної електроніки [01006-1-01006-4]
7) Поглинання та пропускання макропористого кремнію та нанодротин [01007-1-01007-6]
8) Розрахунок показника заломлення з використанням оптичної забороненої зони: тонкі плівки для піролізу розпиленням TiO2 [01008-1-01008-4]
9) Фазові переходи та особливості структури нітратів двовалентних елементів [01009-1-01009-3]
10) Дослідження впливу технологічних факторів на високовольтні p0–n0 переходи на основі GaAs [01010-1-01010-5]
11) ВІМС аналіз тонких плівок мідно-нікелевих сплавів [01011-1-01011-6]
12) Полікристали оксиду цинку для гетеропереходу та інфрачервоний УФ-фотодетектор [01012-1-01012-6]
13) Фотопровідність кристалічного кремнію з аморфними включеннями [01013-1-01013-5]
14) Оптимізація матеріалу електронного транспортного шару для Cs2AgBiBr6 на основі сонячної батареї з використанням SCAPS [01014-1-01014-4]
15) Енергооптимізовані інформаційні системи для мобільної робототехніки у фізичних процесах [01015-1-01015-7]
16) Електронні та магнітні властивості твердого розчину Cr: ZnSeTe з катіонною вакансією [01016-1-01016-5]
17) Уніфіковане дослідження електротранспортних властивостей деяких рідких лужних елементів методом псевдопотенціалу [01017-1-01017-4]
18) Вплив температури на характеристики N-канального польового транзистора GaP Fin (GaP-FinFET) [01018-1-01018-4]
19) Оперативна ідентифікація несправності перемикача IGBT у двонаправленому мікромережевому інверторі, пов’язаному з розподіленими енергетичними ресурсами [01019-1-01019-5]
20) Оцінка електричних і теплових характеристик готового композиту PVA-Ag з наночастинками срібла [01020-1-01020-4]
21) Термодинамічний аналіз рівноважного складу парової фази системи Cd-I2 [01021-1-01021-4]
22) Синтез тонких плівок надпровідника NiS з високою електропровідністю [01022-1-01022-6]
23) Наночастинки ZnO/ZnS: електрохімічний синтез, аналіз та перспективи застосування [01024-1-01024-4]
24) Вплив домішок алюмінія (Al: 0, 1, 2 і 3 мас.%) на електричні властивості гетеропереходу ZnO:Al/p-Si для застосувань в оптоелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Електричні та механічні властивості епоксидних композитів, наповнених наночастинками вуглецю та Co3O4 [01026-1-01026-10]
26) Механіко-динамічні властивості п'єзоперетворювача за наявності активного акустичного екрана [01027-1-01027-6]
27) Квантово-статистичні властивості тримодової системи конденсатів Бозе-Ейнштейна атом-молекула для ненульових внутрішньовидових взаємодій: антигрупування [01028-1-01028-6]
28) Вплив термовідпалювання на фізичні властивості хімічно синтезованих нанокристалічних тонких плівок SnO2 [01029-1-01029-5]
29) Фізика високої ефективності кремнієвого сонячного елемента з нановключеннями халкогенідів свинцю [01030-1-01030-5]
