Оперативна ідентифікація несправності перемикача IGBT у двонаправленому мікромережевому інверторі, пов’язаному з розподіленими енергетичними ресурсами
| Автори | S.S. Ghosh1 , S. Chattopadhyay2, S.H. Arigela3, V.V. Kamesh4, A. Das1 , S. Das5 |
| Приналежність |
1Department of Electrical Engineering, Jadavpur University, Kolkata, West Bengal, India 2Department of Electrical Engineering, GKCIET, Malda, West Bengal, India 3Department of Department of Mechanical Engineering, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Vaddeswaram, Guntur District, Andhra Pradesh, India-522302 4Department of Mechanical Engineering, Aditya Engineering College, Surampalem East Godavari District, Andhra Pradesh-533437, India |
| Е-mail | ssghosh732103@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 1 |
| Дати | Одержано 15 грудня 2023; у відредагованій формі 17 лютого 2024; опубліковано online 28 лютого 2024 |
| Посилання | S.S. Ghosh, S. Chattopadhyay, S.H. Arigela, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 1, 01019 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(1).01019 |
| PACS Number(s) | 84.70. + p, 88.80.hj |
| Ключові слова | Двонаправлений інвертор постійного/змінного струму (BDAI), Розподілені енергетичні ресурси (DER), Перетворення Фур’є (FFT), IGBT (3) , Розпізнавання несправностей, Мікромережа (2) . |
| Анотація |
У сучасній силовій електроніці біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) надзвичайно важливі з різних причин. IGBT служать життєво важливими компонентами інверторів мікромережі, забезпечуючи комутаційні можливості, необхідні для перетворення електроенергії постійного струму з відновлюваних джерел у високоякісну енергію змінного струму для додатків мікромережі (MG). Двонаправлений інвертор (BDI) є важливим компонентом мікромережі, що забезпечує безперебійну інтеграцію розподілених енергетичних ресурсів (DER) і підтримує як підключену до мережі, так і автономну роботу. У двонаправленому інверторі постійного/змінного струму (BDAI) IGBT відіграють важливу роль в управлінні потоком електроенергії в обох напрямках. Наслідки збоїв двонаправленого IGBT інвертора в мікромережі можуть варіюватися від невеликих проблем із якістю електроенергії до більш серйозних перебоїв у стабільності та продуктивності системи. Тому IGBT повинен працювати без збоїв. Ця стаття ілюструє метод виявлення ранньої несправності перемикача IGBT (ISF) у двонаправленому інверторі з мікромережею, який підключено до фотоелектричної (PV) системи зберігання енергії від акумулятора (BESS). Для виявлення несправностей було проведено аналіз сигналу вихідного струму інвертора за допомогою швидкого перетворення Фур’є (ШПФ). Після цього було досліджено вплив на постійний струм, фундаментальний компонент струму та гармонійні спотворення для різних рівнів несправності. Була спроба успішно виявити ISF на основі найкращих характеристик. Також був запропонований алгоритм виявлення ISF. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Мікрополоскова патч-антена з високим коефіцієнтом посилення з круглим слотом для додатків WiGig у V-діапазоні [01001-1-01001-5]2) Широкосмуговий метаповерхневий поглинач із ультратонкими та гнучкими функціями для мікрохвильових застосувань [01002-1-01002-6]
3) Механічні властивості сплавів Pb–Sn–Ba для струмовідводів свинцево-кислотних акумуляторів, отриманих методом гартування з розплаву [01003-1-01003-6]
4) Вплив накопичення домішкових атомів Ni та Fe на електрофізичні властивості монокристалів Si [01004-1-01004-4]
5) Визначення критичних значень параметрів системи нерухомих електронних потоків при обробці оксидних покриттів на протяжних оптичних елементах [01005-1-01005-7]
6) Ефект електрон-фононної взаємодії в питомому опорі металевих плівок як елементів сенсорної електроніки [01006-1-01006-4]
7) Поглинання та пропускання макропористого кремнію та нанодротин [01007-1-01007-6]
8) Розрахунок показника заломлення з використанням оптичної забороненої зони: тонкі плівки для піролізу розпиленням TiO2 [01008-1-01008-4]
9) Фазові переходи та особливості структури нітратів двовалентних елементів [01009-1-01009-3]
10) Дослідження впливу технологічних факторів на високовольтні p0–n0 переходи на основі GaAs [01010-1-01010-5]
11) ВІМС аналіз тонких плівок мідно-нікелевих сплавів [01011-1-01011-6]
12) Полікристали оксиду цинку для гетеропереходу та інфрачервоний УФ-фотодетектор [01012-1-01012-6]
13) Фотопровідність кристалічного кремнію з аморфними включеннями [01013-1-01013-5]
14) Оптимізація матеріалу електронного транспортного шару для Cs2AgBiBr6 на основі сонячної батареї з використанням SCAPS [01014-1-01014-4]
15) Енергооптимізовані інформаційні системи для мобільної робототехніки у фізичних процесах [01015-1-01015-7]
16) Електронні та магнітні властивості твердого розчину Cr: ZnSeTe з катіонною вакансією [01016-1-01016-5]
17) Уніфіковане дослідження електротранспортних властивостей деяких рідких лужних елементів методом псевдопотенціалу [01017-1-01017-4]
18) Вплив температури на характеристики N-канального польового транзистора GaP Fin (GaP-FinFET) [01018-1-01018-4]
19) Оцінка електричних і теплових характеристик готового композиту PVA-Ag з наночастинками срібла [01020-1-01020-4]
20) Термодинамічний аналіз рівноважного складу парової фази системи Cd-I2 [01021-1-01021-4]
21) Синтез тонких плівок надпровідника NiS з високою електропровідністю [01022-1-01022-6]
22) Синтез тонких плівок SnO2 для вимірювання газу органічними сонячними елементами [01023-1-01023-3]
23) Наночастинки ZnO/ZnS: електрохімічний синтез, аналіз та перспективи застосування [01024-1-01024-4]
24) Вплив домішок алюмінія (Al: 0, 1, 2 і 3 мас.%) на електричні властивості гетеропереходу ZnO:Al/p-Si для застосувань в оптоелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Електричні та механічні властивості епоксидних композитів, наповнених наночастинками вуглецю та Co3O4 [01026-1-01026-10]
26) Механіко-динамічні властивості п'єзоперетворювача за наявності активного акустичного екрана [01027-1-01027-6]
27) Квантово-статистичні властивості тримодової системи конденсатів Бозе-Ейнштейна атом-молекула для ненульових внутрішньовидових взаємодій: антигрупування [01028-1-01028-6]
28) Вплив термовідпалювання на фізичні властивості хімічно синтезованих нанокристалічних тонких плівок SnO2 [01029-1-01029-5]
29) Фізика високої ефективності кремнієвого сонячного елемента з нановключеннями халкогенідів свинцю [01030-1-01030-5]
