Мікрополоскова патч-антена з високим коефіцієнтом посилення з круглим слотом для додатків WiGig у V-діапазоні
| Автори | A.S.A. Gaid, A.N.S. Ali |
| Афіліація |
Dept. of Communication & Computer Engineering, Faculty of Engineering and Information Technology, Taiz University, Taiz, Yemen |
| Е-mail | quddoos.gaid@taiz.edu.ye, alaanabeelsaif@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 1 |
| Дати | Одержано 20 грудня 2023; у відредагованій формі 16 лютого 2024; опубліковано online 28 лютого 2024 |
| Цитування | A.S.A. Gaid, A.N.S. Ali, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 1, 01001 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(1).01001 |
| PACS Number(s) | 84.40.Ba |
| Ключові слова | V-діапазон (2) , Компактна антена (4) , Антена з високим коефіцієнтом підсилення, Кругові слоти, WiGig програма. |
| Анотація |
У даній статті представлено просту, низькопрофільну прямокутну мікросмужкову антену, яка працює у V-діапазоні для програм WiGig. Початкова конструкція включає в себе прямокутну мікросмужкову антену, модифіковану шляхом вставлення невеликого круглого отвору в випромінювальну ділянку для регулювання резонансу на 60 ГГц і підвищення її коефіцієнта відбиття. Для підтримки запропонованої структури використовується повністю заземлена діелектрична підкладка Rogers RT/Duroid-5880, що має діелектричну проникність 2,2, тангенс втрати 0,0009 і товщину 0,12 мм. Остаточна конструкція розміром 4 ´ 7.4 ´ 0.12 мм3 досягає стабільного посилення понад 10,33 дБ і в робочому діапазоні з максимальним реалізованим посиленням 10,61 дБі та мінімальним значенням S11 – 60 дБ на центральній частоті. Так само запропонована антена досягає мінімального КСВ 1,026. Крім того, антена реалізує імпеданс смуги пропускання 2,22 ГГц, що розширюється від 58,809 ГГц до 61,029 ГГц, і ефективність випромінювання вище 89%. CST використовується для проектування антени, моделювання та оптимізації, тоді як HFSS перевіряє результати моделювання. Результати моделювання обох програмних симуляторів вказують на хороший рівень узгодженості. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Широкосмуговий метаповерхневий поглинач із ультратонкими та гнучкими функціями для мікрохвильових застосувань [01002-1-01002-6]2) Механічні властивості сплавів Pb–Sn–Ba для струмовідводів свинцево-кислотних акумуляторів, отриманих методом гартування з розплаву [01003-1-01003-6]
3) Вплив накопичення домішкових атомів Ni та Fe на електрофізичні властивості монокристалів Si [01004-1-01004-4]
4) Визначення критичних значень параметрів системи нерухомих електронних потоків при обробці оксидних покриттів на протяжних оптичних елементах [01005-1-01005-7]
5) Ефект електрон-фононної взаємодії в питомому опорі металевих плівок як елементів сенсорної електроніки [01006-1-01006-4]
6) Поглинання та пропускання макропористого кремнію та нанодротин [01007-1-01007-6]
7) Розрахунок показника заломлення з використанням оптичної забороненої зони: тонкі плівки для піролізу розпиленням TiO2 [01008-1-01008-4]
8) Фазові переходи та особливості структури нітратів двовалентних елементів [01009-1-01009-3]
9) Дослідження впливу технологічних факторів на високовольтні p0–n0 переходи на основі GaAs [01010-1-01010-5]
10) ВІМС аналіз тонких плівок мідно-нікелевих сплавів [01011-1-01011-6]
11) Полікристали оксиду цинку для гетеропереходу та інфрачервоний УФ-фотодетектор [01012-1-01012-6]
12) Фотопровідність кристалічного кремнію з аморфними включеннями [01013-1-01013-5]
13) Оптимізація матеріалу електронного транспортного шару для Cs2AgBiBr6 на основі сонячної батареї з використанням SCAPS [01014-1-01014-4]
14) Енергооптимізовані інформаційні системи для мобільної робототехніки у фізичних процесах [01015-1-01015-7]
15) Електронні та магнітні властивості твердого розчину Cr: ZnSeTe з катіонною вакансією [01016-1-01016-5]
16) Уніфіковане дослідження електротранспортних властивостей деяких рідких лужних елементів методом псевдопотенціалу [01017-1-01017-4]
17) Вплив температури на характеристики N-канального польового транзистора GaP Fin (GaP-FinFET) [01018-1-01018-4]
18) Оперативна ідентифікація несправності перемикача IGBT у двонаправленому мікромережевому інверторі, пов’язаному з розподіленими енергетичними ресурсами [01019-1-01019-5]
19) Оцінка електричних і теплових характеристик готового композиту PVA-Ag з наночастинками срібла [01020-1-01020-4]
20) Термодинамічний аналіз рівноважного складу парової фази системи Cd-I2 [01021-1-01021-4]
21) Синтез тонких плівок надпровідника NiS з високою електропровідністю [01022-1-01022-6]
22) Синтез тонких плівок SnO2 для вимірювання газу органічними сонячними елементами [01023-1-01023-3]
23) Наночастинки ZnO/ZnS: електрохімічний синтез, аналіз та перспективи застосування [01024-1-01024-4]
24) Вплив домішок алюмінія (Al: 0, 1, 2 і 3 мас.%) на електричні властивості гетеропереходу ZnO:Al/p-Si для застосувань в оптоелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Електричні та механічні властивості епоксидних композитів, наповнених наночастинками вуглецю та Co3O4 [01026-1-01026-10]
26) Механіко-динамічні властивості п'єзоперетворювача за наявності активного акустичного екрана [01027-1-01027-6]
27) Квантово-статистичні властивості тримодової системи конденсатів Бозе-Ейнштейна атом-молекула для ненульових внутрішньовидових взаємодій: антигрупування [01028-1-01028-6]
28) Вплив термовідпалювання на фізичні властивості хімічно синтезованих нанокристалічних тонких плівок SnO2 [01029-1-01029-5]
29) Фізика високої ефективності кремнієвого сонячного елемента з нановключеннями халкогенідів свинцю [01030-1-01030-5]
