Фотопровідність кристалічного кремнію з аморфними включеннями
| Автори | Оксана Бабиченко1, Ольга Сушко2, Сергій Бабиченко1, Володимир Логунов1, Геннадій Бендеберя1 |
| Приналежність |
1Харківський національний університет радіоелектроніки, кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв, Харків, Україна 2Харківський національний університет радіоелектроніки, кафедра біомедичної інженерії, Харків, Україна |
| Е-mail | oksana.babychenko@oeph.sumdu.edu.ua |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 1 |
| Дати | Одержано 18 грудня 2023; у відредагованій формі 12 лютого 2024; опубліковано online 28 лютого 2024 |
| Посилання | Оксана Бабиченко, Ольга Сушко, Сергій Бабиченко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 1, 01013 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(1).01013 |
| PACS Number(s) | 73.50.Pz, 78.66.Jg |
| Ключові слова | Фотопровідність (5) , Аморфний кремній (7) , Розупорядкованість, Сонячний елемент (32) , НВЧ резонатор. |
| Анотація |
Представлені результати чисельно-аналітичного моделювання фотопровідності кристалічного кремнію з включеннями аморфного кремнію, які можуть бути використані при вивченні принципів роботи нового класу фотоелектричних перетворювачів на основі модифікованих напівпровідникових матеріалів. Вихідними даними для такої моделі мають бути експериментально отримані параметри шарів. При розрахунках припускалось, що зміна фотопровідності обумовлена зміною ступеня розупорядкованності аморфних включень. Було зроблене припущення, що в напівпровідниковій структурі домінують циліндричні включення та ступінь розупорядкованності зразка γ змінюється в діапазоні від 0.040 до 0.065. Тобто в об’ємі кристалічної структури приблизно 5 % аморфних включень. У роботі наведені результати розрахунків зміни фотопровідності в залежності від ступеню розупорядкованності напівпровідникової структури. Результати співпадають з раніше отриманими експериментальними даними на аморфно-кристалічних структурах, утворених в результаті опромінення (-квантами. Фотопровідність напівпровідникових зразків опромінених гамма-квантами досліджувалися НВЧ фотомодуляційними методами за допомогою резонаторного вимірювального перетворювача. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Мікрополоскова патч-антена з високим коефіцієнтом посилення з круглим слотом для додатків WiGig у V-діапазоні [01001-1-01001-5]2) Широкосмуговий метаповерхневий поглинач із ультратонкими та гнучкими функціями для мікрохвильових застосувань [01002-1-01002-6]
3) Механічні властивості сплавів Pb–Sn–Ba для струмовідводів свинцево-кислотних акумуляторів, отриманих методом гартування з розплаву [01003-1-01003-6]
4) Вплив накопичення домішкових атомів Ni та Fe на електрофізичні властивості монокристалів Si [01004-1-01004-4]
5) Визначення критичних значень параметрів системи нерухомих електронних потоків при обробці оксидних покриттів на протяжних оптичних елементах [01005-1-01005-7]
6) Ефект електрон-фононної взаємодії в питомому опорі металевих плівок як елементів сенсорної електроніки [01006-1-01006-4]
7) Поглинання та пропускання макропористого кремнію та нанодротин [01007-1-01007-6]
8) Розрахунок показника заломлення з використанням оптичної забороненої зони: тонкі плівки для піролізу розпиленням TiO2 [01008-1-01008-4]
9) Фазові переходи та особливості структури нітратів двовалентних елементів [01009-1-01009-3]
10) Дослідження впливу технологічних факторів на високовольтні p0–n0 переходи на основі GaAs [01010-1-01010-5]
11) ВІМС аналіз тонких плівок мідно-нікелевих сплавів [01011-1-01011-6]
12) Полікристали оксиду цинку для гетеропереходу та інфрачервоний УФ-фотодетектор [01012-1-01012-6]
13) Оптимізація матеріалу електронного транспортного шару для Cs2AgBiBr6 на основі сонячної батареї з використанням SCAPS [01014-1-01014-4]
14) Енергооптимізовані інформаційні системи для мобільної робототехніки у фізичних процесах [01015-1-01015-7]
15) Електронні та магнітні властивості твердого розчину Cr: ZnSeTe з катіонною вакансією [01016-1-01016-5]
16) Уніфіковане дослідження електротранспортних властивостей деяких рідких лужних елементів методом псевдопотенціалу [01017-1-01017-4]
17) Вплив температури на характеристики N-канального польового транзистора GaP Fin (GaP-FinFET) [01018-1-01018-4]
18) Оперативна ідентифікація несправності перемикача IGBT у двонаправленому мікромережевому інверторі, пов’язаному з розподіленими енергетичними ресурсами [01019-1-01019-5]
19) Оцінка електричних і теплових характеристик готового композиту PVA-Ag з наночастинками срібла [01020-1-01020-4]
20) Термодинамічний аналіз рівноважного складу парової фази системи Cd-I2 [01021-1-01021-4]
21) Синтез тонких плівок надпровідника NiS з високою електропровідністю [01022-1-01022-6]
22) Синтез тонких плівок SnO2 для вимірювання газу органічними сонячними елементами [01023-1-01023-3]
23) Наночастинки ZnO/ZnS: електрохімічний синтез, аналіз та перспективи застосування [01024-1-01024-4]
24) Вплив домішок алюмінія (Al: 0, 1, 2 і 3 мас.%) на електричні властивості гетеропереходу ZnO:Al/p-Si для застосувань в оптоелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Електричні та механічні властивості епоксидних композитів, наповнених наночастинками вуглецю та Co3O4 [01026-1-01026-10]
26) Механіко-динамічні властивості п'єзоперетворювача за наявності активного акустичного екрана [01027-1-01027-6]
27) Квантово-статистичні властивості тримодової системи конденсатів Бозе-Ейнштейна атом-молекула для ненульових внутрішньовидових взаємодій: антигрупування [01028-1-01028-6]
28) Вплив термовідпалювання на фізичні властивості хімічно синтезованих нанокристалічних тонких плівок SnO2 [01029-1-01029-5]
29) Фізика високої ефективності кремнієвого сонячного елемента з нановключеннями халкогенідів свинцю [01030-1-01030-5]
