Синтез тонких плівок надпровідника NiS з високою електропровідністю
| Автори | A. Sbaihi1,2, 3 , S. Benramache2 , C.Benbrika3 |
| Приналежність |
1Laboratoire des Matériaux Semi-Conducteurs et Métalliques, University of Biskra 07000, Algeria 2Laboratoire des Matériaux, des Énergies et de l’Environnement, University of Biskra 07000, Algeria 3Material Sciences Department, Faculty of Science, University of Biskra 07000, Algeria |
| Е-mail | saidbenramache07@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 1 |
| Дати | Одержано 12 грудня 2023; у відредагованій формі 20 лютого 2024; опубліковано online 28 лютого 2024 |
| Посилання | A. Sbaihi, S. Benramache, C.Benbrika, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 1, 01022 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(1).01022 |
| PACS Number(s) | 74.25.fc |
| Ключові слова | NiS (17) , Спрей піроліз, Тонка плівка (23) , Рентгенівська дифракція (21) . |
| Анотація |
У цій роботі представлені результати досліджень фізичних властивостей наноструктурних тонких плівок сульфіду нікелю (NiS), які були нанесені на нагріті скляні підкладки (T = 250 °C) за допомогою технології розпилювального піролізу (SPT) з використанням різних концентрацій прекурсорів. Два джерела розчину: гіксагідрат нітратів нікелю {(Ni(NO3)2.6H2O)=X} і тіосечовина {(CS(NH2)2)=Y}: {30% [X].70%[Y]}, {33%[X].67% [Y]}&{37% [X]. 63 % [Y]} із фіксацією інших експериментальних умов. Результати рентгенівського дифракційного аналізу показали, що всі зразки тонких плівок сульфіду нікелю (NiS) є полікристалічними в гексагональній фазі та мають переважну орієнтацію (010). Розмір кристаліту (D) оцінювався за співвідношенням Дебая-Шеррера і становив у діапазоні від 9,915 нм до 22,148 нм. Виникнення зв’язку Ni-S, що відповідає частоті 668,563 см – 1, було підтверджено аналізом FTIR. Енергія забороненої зони змінювалася для зразків від 0,87, 0,88 до 0,92 еВ. Опір пластини (Rsh) було виміряно за допомогою чотириточкового методу, який використовувався для визначення провідності зразків. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Мікрополоскова патч-антена з високим коефіцієнтом посилення з круглим слотом для додатків WiGig у V-діапазоні [01001-1-01001-5]2) Широкосмуговий метаповерхневий поглинач із ультратонкими та гнучкими функціями для мікрохвильових застосувань [01002-1-01002-6]
3) Механічні властивості сплавів Pb–Sn–Ba для струмовідводів свинцево-кислотних акумуляторів, отриманих методом гартування з розплаву [01003-1-01003-6]
4) Вплив накопичення домішкових атомів Ni та Fe на електрофізичні властивості монокристалів Si [01004-1-01004-4]
5) Визначення критичних значень параметрів системи нерухомих електронних потоків при обробці оксидних покриттів на протяжних оптичних елементах [01005-1-01005-7]
6) Ефект електрон-фононної взаємодії в питомому опорі металевих плівок як елементів сенсорної електроніки [01006-1-01006-4]
7) Поглинання та пропускання макропористого кремнію та нанодротин [01007-1-01007-6]
8) Розрахунок показника заломлення з використанням оптичної забороненої зони: тонкі плівки для піролізу розпиленням TiO2 [01008-1-01008-4]
9) Фазові переходи та особливості структури нітратів двовалентних елементів [01009-1-01009-3]
10) Дослідження впливу технологічних факторів на високовольтні p0–n0 переходи на основі GaAs [01010-1-01010-5]
11) ВІМС аналіз тонких плівок мідно-нікелевих сплавів [01011-1-01011-6]
12) Полікристали оксиду цинку для гетеропереходу та інфрачервоний УФ-фотодетектор [01012-1-01012-6]
13) Фотопровідність кристалічного кремнію з аморфними включеннями [01013-1-01013-5]
14) Оптимізація матеріалу електронного транспортного шару для Cs2AgBiBr6 на основі сонячної батареї з використанням SCAPS [01014-1-01014-4]
15) Енергооптимізовані інформаційні системи для мобільної робототехніки у фізичних процесах [01015-1-01015-7]
16) Електронні та магнітні властивості твердого розчину Cr: ZnSeTe з катіонною вакансією [01016-1-01016-5]
17) Уніфіковане дослідження електротранспортних властивостей деяких рідких лужних елементів методом псевдопотенціалу [01017-1-01017-4]
18) Вплив температури на характеристики N-канального польового транзистора GaP Fin (GaP-FinFET) [01018-1-01018-4]
19) Оперативна ідентифікація несправності перемикача IGBT у двонаправленому мікромережевому інверторі, пов’язаному з розподіленими енергетичними ресурсами [01019-1-01019-5]
20) Оцінка електричних і теплових характеристик готового композиту PVA-Ag з наночастинками срібла [01020-1-01020-4]
21) Термодинамічний аналіз рівноважного складу парової фази системи Cd-I2 [01021-1-01021-4]
22) Синтез тонких плівок SnO2 для вимірювання газу органічними сонячними елементами [01023-1-01023-3]
23) Наночастинки ZnO/ZnS: електрохімічний синтез, аналіз та перспективи застосування [01024-1-01024-4]
24) Вплив домішок алюмінія (Al: 0, 1, 2 і 3 мас.%) на електричні властивості гетеропереходу ZnO:Al/p-Si для застосувань в оптоелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Електричні та механічні властивості епоксидних композитів, наповнених наночастинками вуглецю та Co3O4 [01026-1-01026-10]
26) Механіко-динамічні властивості п'єзоперетворювача за наявності активного акустичного екрана [01027-1-01027-6]
27) Квантово-статистичні властивості тримодової системи конденсатів Бозе-Ейнштейна атом-молекула для ненульових внутрішньовидових взаємодій: антигрупування [01028-1-01028-6]
28) Вплив термовідпалювання на фізичні властивості хімічно синтезованих нанокристалічних тонких плівок SnO2 [01029-1-01029-5]
29) Фізика високої ефективності кремнієвого сонячного елемента з нановключеннями халкогенідів свинцю [01030-1-01030-5]
