Автори | M. Balaji, S. Ashok Kumar |
Афіліація |
Department of Electronics and Communication Engineering, Sri Manakula Vinayagar Engineering College, Madagadipet, Puducherry, India |
Е-mail | 6691ashok@gmail.com |
Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 4 |
Дати | Одержано 25 травня 2023; у відредагованій формі 18 серпня 2023; опубліковано online 30 серпня 2023 |
Цитування | M. Balaji, S. Ashok Kumar, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 4, 04032 (2023) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(4).04032 |
PACS Number(s) | 81.07.Gf, 85.30.Tv |
Ключові слова | NWFET (4) , Технологія автоматизованого проектування (TCAD), UTB (2) , MCFET, SiC (29) , Плазма зарядів. |
Анотація |
У статті представлені результати проектування та розробки нанодротового багатоканального польового транзистора (NWMCFET) із довжиною затвора 5 нм. NWMCFET створюється шляхом поділу нановолокна MCFET на чотири канали. Щоб підвищити продуктивність NWMCFET, карбід кремнію (SiC) використовується для областей витоку та стоку. Інтеграція SiC у поєднанні з використанням каналу з кількома мостами та технологією пристрою Ultra-Thin Body (UTB) приводить до збільшення потужності за струмом. Характеристики струм-напруга (I-V) пристрою дають змогу зробити висновок про те, що ці методи приводять до помітного покращення струму та загальної продуктивності. Крім того, включення явища гетеропереходу в конструкцію NWMCFET додатково покращує його продуктивність. Пристрій, що будується за принципом багатоканального та електростатичного легування, демонструє результати, порівняні з пристроями, легованими вручну. Зокрема, у контексті пристроїв із технологією менше 10 нм подальший розвиток у цьому напрямку має значні переваги. У роботі представлено дослідження багатоканального польового транзистора з нанодротом із використанням концепції зарядової плазми, з SiC та багатомостової конфігурації каналів. Експериментальні результати свідчать про покращення загальної продуктивності пристрою. Запропонована конструкція відкриває багатообіцяючі перспективи для розробки пристроїв із технологією менше 10 нм у майбутньому. |
Перелік цитувань |