Аналіз багатоканального польового транзистора розміром менше ніж 10 нм на основі гетеропереходу на основі плазми електричних зарядів

Автори M. Balaji, S. Ashok Kumar
Приналежність

Department of Electronics and Communication Engineering, Sri Manakula Vinayagar Engineering College, Madagadipet, Puducherry, India

Е-mail 6691ashok@gmail.com
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 4
Дати Одержано 25 травня 2023; у відредагованій формі 18 серпня 2023; опубліковано online 30 серпня 2023
Посилання M. Balaji, S. Ashok Kumar, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 4, 04032 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(4).04032
PACS Number(s) 81.07.Gf, 85.30.Tv
Ключові слова NWFET (4) , Технологія автоматизованого проектування (TCAD), UTB (2) , MCFET, SiC (28) , Плазма зарядів.
Анотація

У статті представлені результати проектування та розробки нанодротового багатоканального польового транзистора (NWMCFET) із довжиною затвора 5 нм. NWMCFET створюється шляхом поділу нановолокна MCFET на чотири канали. Щоб підвищити продуктивність NWMCFET, карбід кремнію (SiC) використовується для областей витоку та стоку. Інтеграція SiC у поєднанні з використанням каналу з кількома мостами та технологією пристрою Ultra-Thin Body (UTB) приводить до збільшення потужності за струмом. Характеристики струм-напруга (I-V) пристрою дають змогу зробити висновок про те, що ці методи приводять до помітного покращення струму та загальної продуктивності. Крім того, включення явища гетеропереходу в конструкцію NWMCFET додатково покращує його продуктивність. Пристрій, що будується за принципом багатоканального та електростатичного легування, демонструє результати, порівняні з пристроями, легованими вручну. Зокрема, у контексті пристроїв із технологією менше 10 нм подальший розвиток у цьому напрямку має значні переваги. У роботі представлено дослідження багатоканального польового транзистора з нанодротом із використанням концепції зарядової плазми, з SiC та багатомостової конфігурації каналів. Експериментальні результати свідчать про покращення загальної продуктивності пристрою. Запропонована конструкція відкриває багатообіцяючі перспективи для розробки пристроїв із технологією менше 10 нм у майбутньому.

Перелік посилань