Автори | Н.П. Клочко1 , В.А. Барбаш2, С.І. Петрушенко3,4, В.Р. Копач1 , Є.М. Шепотько1, С.В. Дукаров3, В.М. Сухов3, О.В. Ященко2, А.Л. Хрипунова1 |
Афіліація |
1Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна 2Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського", проспект Перемоги, 37, 03056 Київ, Україна 3Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, площа Свободи, 4, 61022 Харків, Україна 4Інститут наноматеріалів, передових технологій та інновацій Ліберецького технічного університету, Ліберец, Чехія |
Е-mail | |
Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 4 |
Дати | Одержано 12 травня 2023; у відредагованій формі 16 серпня 2023; опубліковано online 30 серпня 2023 |
Цитування | Н.П. Клочко, В.А. Барбаш, С.І. Петрушенко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 4, 04003 (2023) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(4).04003 |
PACS Number(s) | 73.50.Lw |
Ключові слова | Термоелектричний елемент, Тонка плівка (27) , Наноцелюлоза, SILAR (6) , CuI (11) . |
Анотація |
Розроблено новий ефективний гнучкий гідрофобний термоелектричний (ТЕ) матеріал із підвищеною термічною стабільністю та механічною міцністю для виробництва зеленої енергії. Гнучка наноцелюлозна підкладка товщиною 8 мкм була отримана зі стебел звичайного очерету шляхом TEMPO-опосередкованого окислення. Вона має високий індекс кристалічності 88 % і області когерентного розсіювання нанокристалів в межах від 2 до 3 нм. Плівка CuI товщиною 4,3 мкм була нанесена на підкладку NC методом послідовної адсорбції та реакції іонних шарів (SILAR), і таким чином був отриманий тонкоплівковий термоелектричний матеріал CuI/NC. Середній розмір областей когерентного розсіювання CuI становить 25 нм. Нанокристали CuI містять дислокації (1.6·1015 ліній/м2) і мікродеформації розтягу 6·103 від. од. Оптична заборонена зона Eg для прямих дозволених переходів у плівці CuI дорівнює близько 3,0 еВ. Висока гідрофобність матеріалу CuI/NC є корисною властивістю для застосування у вологому середовищі. Матеріал CuI/NC містить однакову кількість атомів міді та йоду. Крім того, в плівці йодиду міді присутня невелика кількість сірки (<1 ат.%), що збільшує фактор термоелектричної потужності матеріалу CuI/NC до 6,7 мкВт/(м К2) при T = 340 K. Його позитивний коефіцієнт Зеєбека S = 108 мкВ/K підтвердив p-тип провідності CuI. Зміна питомого опору при початковому нагріванні та подальшому охолодженні продемонструвала кросовер електропровідності, який є типовим для плівок нанокристалічного виродженого напівпровідника CuI. Зразок CuI/NC у вигляді смужки 3 см ч 1 см тестували як планарний тонкоплівковий ТЕ елемент. Експериментально зафіксовано щільність вихідної потужності TE елемента CuI/NC 0.123 Вт/м2 при різниці між його гарячим і холодним краями 40 К. |
Перелік цитувань |