Розподіл нерівноважних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів
| Автори | В.Ф. Онищенко |
| Приналежність |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, 03028 Київ, Україна |
| Е-mail | onyshchenkovf@isp.kiev.ua |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Дати | Одержано 07 жовтня 2021; у відредагованій формі 01 грудня 2021; опубліковано online 20 грудня 2021 |
| Посилання | В.Ф. Онищенко, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 6, 06010 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06010 |
| PACS Number(s) | 73.50.Pz |
| Ключові слова | Двосторонній макропористий кремній (2) , Пористий кремній (9) , Надлишкові носії заряду. |
| Анотація |
У роботі представлена система рівнянь, яка описує розподіл надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів. Система містить рівняння, які є загальним розв’язком рівняння дифузії, записаного для монокристалічної підкладки та кожного з пористих шарів. Також вона містить рівняння, які описують граничні умови на двох поверхнях зразка двостороннього макропористого кремнію та на межах монокристалічної підкладки з макропористими шарами. Враховується, що світло розповсюджується по порах та освітлює монокристалічну підкладку через дно пор. Ми розрахували розподіл надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів за умови, коли надлишкові носії заряду генеруються світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм та 1,05 мкм. При цих довжинах хвиль генерація надлишкових носіїв заряду була однорідною та неоднорідною по зразку, відповідно. Розрахунки проводились для випадків, коли один шар макропор мав товщину 100 мкм, а інший змінювався від нуля до 400 мкм. Показано, що в розподілі надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів спостерігаються один або два максимуми. Максимум може розташовуватися біля поверхонь, які освітлюються, або посередині монокристалічної підкладки. Максимуми зменшуються завдяки дифузії носіїв заряду до рекомбінаційних поверхонь. На розподіл надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів впливає рекомбінація надлишкових носіїв заряду на поверхні пор кожного макропористого шару та дифузія надлишкових носіїв заряду з підкладки до рекомбінаційних поверхонь в пористих шарах. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив густини дефектів на сонячні елементи n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром [06001-1-06001-4]2) Порівняльне дослідження впливу µc-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H та µc-SiOx як пасивуючого шару на продуктивність сонячних елементів HIT n-c-Si [06002-1-06002-4]
3) Підвищена чутливість до вологості гідротермально синтезованих наночастинок оксиду олова [06003-1-06003-5]
4) Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів [06004-1-06004-5]
5) Розробка та аналіз високопродуктивного капсулоподібного біосенсора на 2D фотонних кристалах: застосування в біомедицині [06005-1-06005-6]
6) Порівняльне дослідження теплових та оптичних властивостей бінарних нанокомпозитів на основі PANI [06006-1-06006-4]
7) Порівняльний аналіз електричних властивостей нанокристалічних гідрату NiMoO4 та α-NiMoO4, отриманих гідротермальним методом [06007-1-06007-6]
8) Обробка воднем плівкових датчиків SPR: експерименти та теоретичне моделювання [06008-1-06008-5]
9) Вплив Ag на поверхневий стан TiO2, оптичну активність та його цитотоксичність [06009-1-06009-5]
10) Si- and Ge-FinFET Inverter Circuits Optimization Based on Driver to Load Transistor Fin Ratio [06011-1-06011-4]
11) Про оптогальванічну спектроскопію з роздільною здатністю в часі неону у розряді з порожнистим катодом [06012-1-06012-6]
12) Вплив вмісту дисиліциду молібдену на мікроструктуру та фазові перетворення покриттів ZrB2-MoSi2-10Al після відпалу на повітрі [06013-1-06013-4]
13) Оптичні властивості тонкої плівки ZnO: імітаційне дослідження для оптоелектронних застосувань [06014-1-06014-4]
14) Особливості фотоелектричних процесів в плівкових гетеросистемах сульфіду та телуриду кадмію з нанорозмірними шарами у тильних контактах [06015-1-06015-6]
15) Порівняльне дослідження оптоелектронних характеристик нелегованих, легованих Mg та спільно легованих F/Mg нанокристалічних тонких плівок ZnO для застосування в сонячних елементах [06016-1-06016-6]
16) Порівняльне дослідження та характеристики відновленого оксиду графену (RGO) та пористого відновленого оксиду графену (P-RGO) на основі відходів шкаралупи кокосового горіха [06017-1-06017-6]
17) Вплив форми армуючих частинок на поведінку композиційних матеріалів [06018-1-06018-4]
18) Суперпарамагнетизм в ниткоподібних кристалах Si1 – xGex (B, Hf) [06019-1-06019-5]
19) Топографічний аналіз впливу відпалювання на зернограничну структуру полікремнієвих плівок [06020-1-06020-4]
20) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанопористого вуглецю та вольфрамату нікелю [06021-1-06021-5]
21) Експериментальні дані про динамічні зміни радіоімпульсів при їх випромінюванні п'єзокерамічними електромеханічними перетворювачами [06022-1-06022-5]
22) Оксид титану, легований залізом: синтез, структурні, магнітні та фотокаталітичні властивості [06023-1-06023-7]
23) Властивості аморфного кремнезему, синтезованого із мідеплавильних шлаків [06024-1-06024-6]
24) Механізми зміцнення поверхневого шару дюралюмінію, модифікованого імпульсним релятивістським електронним сильнострумовим пучком [06025-1-06025-6]
25) Аналіз механізмів підвищення ефективності промислових кремнієвих сонячних батарей [06026-1-06026-8]
26) Чисельний аналіз динаміки наночастинок у в'язкій рідині: Детерміністичний підхід [06027-1-06027-5]
27) Енергетичні та частотні властивості планарних n+-n-n+ діодів з бічними активними границями [06028-1-06028-4]
28) Методи розрахунку передавальних функцій широкосмугових пластинчатих п'єзоперетворювачів з перехідними шарами [06029-1-06029-6]
29) Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд [06030-1-06030-8]
30) Аналіз шуму перехресних перешкод за допомогою міжз'єднань графенової нанострічки шляхом зміни відстані між дротами та середнього вільного пробігу електронів [06031-1-06031-4]
31) Дослідження структурних, електричних та корозійних властивостей плівок NbN, нанесених методом магнетронного напилення (живлення постійним струмом) при різних потужностях [06032-1-06032-6]
32) Оптичні властивості гібридних тонких плівок CuSCN/стільбазолієвий барвник [06033-1-06033-4]
33) Аналіз продуктивності GAA MOSFET при кріогенній температурі для субнанометрового режиму [06034-1-06034-4]
34) Вивчення та проектування масивів друкованих прямокутних мікросмугових антен на робочій частоті 27,5 ГГц для додатків 5G [06035-1-06035-5]
35) Вплив кута падіння світла на характеристики текстурованих кремнієвих сонячних елементів [06036-1-06036-5]
