Аналіз шуму перехресних перешкод за допомогою міжз'єднань графенової нанострічки шляхом зміни відстані між дротами та середнього вільного пробігу електронів
| Автори | S. Bhattacharya1 , S. Das2, S. Tayal1, J. Ajayan1, L.M.I. Leo Joseph1, D. Das3 |
| Приналежність |
1Department of Electronics and Communication Engineering, SR University, Warangal, Telangana, India 2School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, India 3Department of Electronics and Communication Engineering, Assam University, Silchar, India |
| Е-mail | sandip.bhattacharya@sru.edu.in |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Дати | Одержано 10 жовтня 2021; у відредагованій формі 16 грудня 2021; опубліковано online 20 грудня 2021 |
| Посилання | S. Bhattacharya, S. Das, S. Tayal, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 6, 06031 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06031 |
| PACS Number(s) | 81.05.Uw, 63.22.Np, 61.46.Np |
| Ключові слова | Графенова нанострічка (GNR), Середній вільний пробіг (MFP), Міжз'єднання, Температура (34) , Шум перехресних перешкод. |
| Анотація |
Ми вивчаємо вплив ємності зв'язку (CC) на шум перехресних перешкод у високопродуктивних вбудованих наноінтегральних схемах наступного покоління шляхом зміни відстані між дротами та середнього вільного пробігу (MFP) електронів між двома сусідніми мережами за допомогою міжз'єднань графенової нанострічки (GNR). Для аналізу ємності зв'язку розглядаються міжз'єднання трьох багатошарових графенових нанострічок (MLGNR) з різною відстанню між дротами (від 10 до 300 нм) і різною довжиною міжз'єднання (100, 200 і 300 мкм). Помічено, що менший зазор між двома сусідніми мережами демонструє в 4-6 разів більшу ємність зв'язку порівняно з більшою відстанню між дротами. З точки зору MFP електронів, більша величина MFP показує на 20-34 % меншу ємність зв'язку порівняно з меншою величиною MFP. При аналізі шуму перехресних перешкод модель із трьома з'єднаннями зі схемою навантаження драйвера (тобто схемою CMOS-інвертора з мережею агресора та жертви) використовується для вивчення продуктивності з'єднань GNR з точки зору пікового шуму з різними можливими комбінаціями входів. Також помічено, що більша величина MFP міжз'єднання MLGNR демонструє менший пік шуму (1,11 мВ з MFP ( 1200 нм), тоді як менша величина MFP демонструє вищий пік шуму (3,65 мВ з MFP ( 300 нм). Наведений аналіз корисний для проектування високошвидкісних інтегральних схем нового покоління, які є ефективними за площею та стійкими до шуму, з використанням з'єднань GNR. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив густини дефектів на сонячні елементи n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром [06001-1-06001-4]2) Порівняльне дослідження впливу µc-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H та µc-SiOx як пасивуючого шару на продуктивність сонячних елементів HIT n-c-Si [06002-1-06002-4]
3) Підвищена чутливість до вологості гідротермально синтезованих наночастинок оксиду олова [06003-1-06003-5]
4) Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів [06004-1-06004-5]
5) Розробка та аналіз високопродуктивного капсулоподібного біосенсора на 2D фотонних кристалах: застосування в біомедицині [06005-1-06005-6]
6) Порівняльне дослідження теплових та оптичних властивостей бінарних нанокомпозитів на основі PANI [06006-1-06006-4]
7) Порівняльний аналіз електричних властивостей нанокристалічних гідрату NiMoO4 та α-NiMoO4, отриманих гідротермальним методом [06007-1-06007-6]
8) Обробка воднем плівкових датчиків SPR: експерименти та теоретичне моделювання [06008-1-06008-5]
9) Вплив Ag на поверхневий стан TiO2, оптичну активність та його цитотоксичність [06009-1-06009-5]
10) Розподіл нерівноважних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [06010-1-06010-5]
11) Si- and Ge-FinFET Inverter Circuits Optimization Based on Driver to Load Transistor Fin Ratio [06011-1-06011-4]
12) Про оптогальванічну спектроскопію з роздільною здатністю в часі неону у розряді з порожнистим катодом [06012-1-06012-6]
13) Вплив вмісту дисиліциду молібдену на мікроструктуру та фазові перетворення покриттів ZrB2-MoSi2-10Al після відпалу на повітрі [06013-1-06013-4]
14) Оптичні властивості тонкої плівки ZnO: імітаційне дослідження для оптоелектронних застосувань [06014-1-06014-4]
15) Особливості фотоелектричних процесів в плівкових гетеросистемах сульфіду та телуриду кадмію з нанорозмірними шарами у тильних контактах [06015-1-06015-6]
16) Порівняльне дослідження оптоелектронних характеристик нелегованих, легованих Mg та спільно легованих F/Mg нанокристалічних тонких плівок ZnO для застосування в сонячних елементах [06016-1-06016-6]
17) Порівняльне дослідження та характеристики відновленого оксиду графену (RGO) та пористого відновленого оксиду графену (P-RGO) на основі відходів шкаралупи кокосового горіха [06017-1-06017-6]
18) Вплив форми армуючих частинок на поведінку композиційних матеріалів [06018-1-06018-4]
19) Суперпарамагнетизм в ниткоподібних кристалах Si1 – xGex (B, Hf) [06019-1-06019-5]
20) Топографічний аналіз впливу відпалювання на зернограничну структуру полікремнієвих плівок [06020-1-06020-4]
21) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанопористого вуглецю та вольфрамату нікелю [06021-1-06021-5]
22) Експериментальні дані про динамічні зміни радіоімпульсів при їх випромінюванні п'єзокерамічними електромеханічними перетворювачами [06022-1-06022-5]
23) Оксид титану, легований залізом: синтез, структурні, магнітні та фотокаталітичні властивості [06023-1-06023-7]
24) Властивості аморфного кремнезему, синтезованого із мідеплавильних шлаків [06024-1-06024-6]
25) Механізми зміцнення поверхневого шару дюралюмінію, модифікованого імпульсним релятивістським електронним сильнострумовим пучком [06025-1-06025-6]
26) Аналіз механізмів підвищення ефективності промислових кремнієвих сонячних батарей [06026-1-06026-8]
27) Чисельний аналіз динаміки наночастинок у в'язкій рідині: Детерміністичний підхід [06027-1-06027-5]
28) Енергетичні та частотні властивості планарних n+-n-n+ діодів з бічними активними границями [06028-1-06028-4]
29) Методи розрахунку передавальних функцій широкосмугових пластинчатих п'єзоперетворювачів з перехідними шарами [06029-1-06029-6]
30) Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд [06030-1-06030-8]
31) Дослідження структурних, електричних та корозійних властивостей плівок NbN, нанесених методом магнетронного напилення (живлення постійним струмом) при різних потужностях [06032-1-06032-6]
32) Оптичні властивості гібридних тонких плівок CuSCN/стільбазолієвий барвник [06033-1-06033-4]
33) Аналіз продуктивності GAA MOSFET при кріогенній температурі для субнанометрового режиму [06034-1-06034-4]
34) Вивчення та проектування масивів друкованих прямокутних мікросмугових антен на робочій частоті 27,5 ГГц для додатків 5G [06035-1-06035-5]
35) Вплив кута падіння світла на характеристики текстурованих кремнієвих сонячних елементів [06036-1-06036-5]
