Автори | A. Otmani , N. Benmostefa , B. Rahali |
Афіліація |
STIC Laboratory, University Abou Bekr Belkaid, 13000 Tlemcen, Algeria |
Е-mail | otmani1amina@gmail.com |
Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 6 |
Дати | Одержано 28 липня 2019; у відредагованій формі 05 грудня 2019; опубліковано online 25 грудня 2019 |
Цитування | A. Otmani, N. Benmostefa, B. Rahali, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 6, 06019 (2019) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(6).06019 |
PACS Number(s) | 84.40.Dc, 84.30.Vn, 84.40.Az |
Ключові слова | Метаматеріал (19) , Інтегрований у підкладку хвилевод (3) , Смуговий фільтр (6) , S-резонатор (3) , HFSS (10) , CST (6) , ADS (13) . |
Анотація |
У роботі запропоновано смуговий фільтр у гіперчастотному діапазоні за рахунок поєднання двох планарних технологій. Перша технологія – це хвилевод, інтегрований у підкладку (SIW), а друга – метаматеріали. Щодо метаматеріалів, існує декілька їх форм, але в роботі нас цікавить S-подібний резонатор. Дослідження проводиться для вилучення еквівалентної схеми з додаванням різного числа резонаторів, що означає різний порядок фільтрів. Створені структури моделюються в різних програмах, таких як ADS, HFSS та CST для підтвердження результатів, які ідеально підходять для двох вибраних діапазонів частот [8,7; 13,4] ГГц та [9,5; 15] ГГц. |
Перелік цитувань |