Автори | A. Souigat1,2 , M.K. Bechki1, D. Slimani1 |
Афіліація |
1Ecole Normale Supérieure de Ouargla, Algeria 2Lab. Développement des Energies Nouvelles et Renouvelables en Zones Aride, Univ Ouargla, Fac. des Mathématiques et des Sciences de la Matière, 30000 Ouargla, Algeria |
Е-mail | souigataek@gmail.com |
Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 6 |
Дати | Одержано 25 серпня 2019; у відредагованій формі 06 грудня 2019; опубліковано online 13 грудня 2019 |
Цитування | A. Souigat, M.K. Bechki, D. Slimani, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 6, 06006 (2019) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(6).06006 |
PACS Number(s) | 68.55.Ln, 85.40.Ry |
Ключові слова | Фосфор (4) , Дифузія (34) , Коефіцієнт пропорційності, Германій (8) . |
Анотація |
Висока внутрішня мобільність носіїв, невелика заборонена зона для германію та можлива монолітна інтеграція з пристроями на основі Si спонукали відновити інтерес до германію у продовженні історичного прогресу пристроїв CMOS. Для отримання ефективних електронних пристроїв на основі германію необхідно зрозуміти дифузію домішки у цьому напівпровіднику. До цього часу, дифузія домішок n-типу в германії моделювалася, головним чином, дифузією, пропорційною квадрату концентрації вільних електронів (n). У дослідженні вивчається температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії Р від концентрації вільних електронів шляхом моделювання експериментальних профілів дифузії Р у діапазоні температур від 650 до 870 °С. Точне моделювання досягається у цьому температурному діапазоні з урахуванням квадратичної пропорційності між дифузійною рухливістю атомів фосфору та концентрацією вільних електронів. |
Перелік посилань |