ІЧ лазерно-індуковані точкові дефекти в монокристалах CdTe:Mn

Автори С.В. Пляцко1, Ю.С. Громовий1, О.М. Стрильчук1, Л.В. Рашковецький1, З.І. Захарук2
Приналежність

1Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна

2Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича, Чернівці, Україна

Е-mail sergei_plyatsko@ukr.net
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 6
Дати Одержано 20 грудня 2018; у відредагованій формі 08 грудня 2019; опубліковано online 13 грудня 2019
Посилання С.В. Пляцко, Ю.С. Громовий та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 6, 06005 (2019)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.11(6).06005
PACS Number(s) 61.72.Ji, 61.72.Vv, 42.62. – b
Ключові слова Напівпровідники (13) , Точкові дефекти (7) , Домішки (18) , CdTe (15) , Лазерна взаємодія, Фотолюмінесценція (29) , Парамагнітний резонанс (3) , Провідність (84) , Оптичне пропускання (3) .
Анотація

Досліджено електричні характеристики монокристалів CdTe:Mn n-типу провідності з початковим питомим опором 10 Ом∙см (300 K), залежність спектрів ЕПР і низькотемпературної фотолюмінесценції від концентрації домішки і температури. Визначено глибина залягання домішкових рівнів, локалізація домішки марганцю в кристалічній решітці. Показано, що в межах концентрації введеного марганцю NMn ≤ 5∙1018 см – 3 обмінної взаємодії між іонами марганцю не спостерігається, марганець займає вакансії або заміщає кадмій в ґратці. Експериментально показано вплив ІЧ лазерного випромінювання з енергією кванта випромінювання ħω значно меншою ширини забороненої зони Eg і щільністю потужності випромінювання W нижче критичної на фізичні властивості монокристалів n-CdTe: Mn. Встановлено, що зміна в спектрі точкових дефектів відбувається в результаті взаємодії ЕН поля лазерної хвилі з включеннями власних компонентів, фонових і спеціально введених домішок.

Перелік посилань