Електричні властивості гетероструктури Сu2O/Cd1 – xZnxTe
| Автори | Е.В. Майструк , І.П. Козярський , Д.П. Козярський , П.Д. Мар’янчук |
| Приналежність |
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна |
| Е-mail | e.maistruk@chnu.edu.ua |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 2 |
| Дати | Одержано 27 листопада 2018; у відредагованій формі 04 квітня 2019; опубліковано online 15 квітня 2019 |
| Посилання | Е.В. Майструк, І.П. Козярський, Д.П. Козярський, П.Д. Мар’янчук, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 2, 02007 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(2).02007 |
| PACS Number(s) | 73.61.Le, 81.15.Ef |
| Ключові слова | Тонкі плівки (64) , Гетероструктура (16) , ВАХ (5) , Сu2О, ВЧ-магнетронне напилення. |
| Анотація |
У роботі досліджено вплив умов вирощування на оптичні та електричні властивості тонких плівок Сu2O. Також досліджено електричні властивості гетероструктури p-Сu2О/n-Cd1 – xZnxTe отриманої на основі цих плівок.Тонкі плівки Сu2O отримували методом ВЧ-магнетронного розпилення мішені з порошку оксиду міді ІІ на підкладки зі скла та ситалу. При одержанні досліджуваних плівок змінювали температуру підкладок (270 °C ≤ Ts ≤ 375 °C) та час розпилення мішені (30 хв ≤ t ≤ 60 хв). При оптимальних режимах були отримані плівки p-Сu2О із шириною оптичної забороненої зони Egоп ( 2,6 еВ та питомим опором ( ( 0,5 Ом ( см. Методом ВЧ магнетронного розпилення мішені з порошку оксиду міді ІІ на свіжо сколоті підкладки Cd1 – xZnxTe були отримані гетероструктури p-Сu2О/n-Cd1 – xZnxTe. Дослідження впливу температури (23 °C ≤ T ≤ 80 °C) на ВАХ гетероструктур p-Сu2О/n-Cd1 – xZnxTe показали, що гетероструктури володіють яскраво вираженим випрямляючим ефектом із коефіцієнтом випрямлення RR ~ 103 при напрузі 2 В, висота потенціального бар’єру e(k ( 0.77 еВ при Т ( 296 К та зменшується з ростом температури. Послідовний опір гетероструктур сягає Rs ~ 500 Ом при кімнатній температурі формується підкладкою n-Cd1 – xZnxTe і зменшується з ростом температури. Дослідження механізмів струмопереносу показали, що при малих зміщеннях переважає надбар’єрна емісія, при середніх – тунелювання, а при великих –генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на металургійній межі поділу. При підвищенні температури генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу поступово зникає і переходить в тунелювання, що може бути пов’язане із ростом концентрації електронів з температурою у базовій області гетеропереходу (Cd1 – xZnxTe) та зменшенням висоти потенціального бар’єру. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання механічних властивостей нанокристалічного SiC методом молекулярної динаміки [02001-1-02001-5]2) Рентгенівське дослідження наноструктури SiC на плівках Cu [02002-1-02002-4]
3) Вплив домішки Au на структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO, отриманих методом CVD [02003-1-02003-4]
4) Залежність продуктивності органічних сонячних елементів як функції товщини активного шару, світлової інтенсивності та температури теплового відпалу [02004-1-02004-5]
5) Ініціювання процесу вибухової кристалізації в аморфних сплавах системи Fe-Zr імпульсною лазерною обробкою [02005-1-02005-4]
6) Чотирикомпонентний напівпровідник халькопіритів Al(Ga,Mn)As2 та AlGa(As,P): дослідження базових принципів [02006-1-02006-5]
7) Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program [02008-1-02008-5]
8) Генерація електромагнітних коливань субміліметрового діапазону діодами GazIn1 – zAs з використанням ударної іонізації [02009-1-02009-5]
9) Вплив нагрівання газу і RF потужності розпилення на електричні, структурні та оптичні властивості тонких плівок ITO [02010-1-02010-7]
10) Ефект впливу довжини каналу на порогові характеристики безперехідних циліндричних польових транзисторів із затвором з діелектриків з високою проникністю [02011-1-02011-5]
11) Оптичні властивості хімічно синтезованих нанокомпозитів PANI-TiO2 [02012-1-02012-5]
12) Візуалізація структури сигналів функціонування елементів складних динамічних систем – когнітивні аспекти [02013-1-02013-4]
13) Закономірності впливу режимів електронно-променевої технології на експлуатаційні характеристики оптичних елементів [02014-1-02014-7]
14) Дослідження моделювання постійного, змінного та перехідного струмів кантілівера MEMS [02015-1-02015-5]
15) Вплив далекодіючої пасивації домішкових атомів поверхневими обірваними зв’язками на провідність поруватого кремнію [02016-1-02016-8]
16) Вимірювання концентрації донорної домішки телуру в пластинчастих зразках вісмуту методом час-пролітної масової спектрометрії [02017-1-02017-4]
17) Механічні властивості ґраток лужноземельних металів кальцію і стронцію [02018-1-02018-7]
18) Спін-орбітальне розщеплення валентної зони в кремнієвих ниткоподібних кристалах під дією деформації [02019-1-02019-8]
19) Взаємозв'язок між піроелектрикою та залишковою поляризацією в тонких плівках сегнетоелектричного полімеру з нанорозмірною структурою [02020-1-02020-5]
20) Нова технологія деконволюції для вдосконалення глибини різкостів мас-спектрометрії вторинних іонів [02021-1-02021-5]
21) Релятивістська корекція струму польової емісії у формалізмі Фаулера-Нордгейма [02022-1-02022-6]
22) Розрахунок рухливості електронів для напруженої наноплівки германію [02023-1-02023-6]
23) Дослідження адсорбції водню на h-BN за допомогою функціональної теорії щільності: ефекти домішки бору [02024-1-02024-5]
24) Одночасний вплив ширини забороненої зони віконного шару p-nc-SiOx:H та зворотного відбиття на характеристики сонячних елементів на основі a-Si:H [02025-1-02025-5]
25) Кристалічна структура і фізичні властивості високоентропійних сплавів [02026-1-02026-6]
26) Структура та фізико-механічні властивості надтвердих багатошарових покриттів (TiAlСrY/Zr)/(TiAlСrYN/ZrN) з подвійним періодом модуляції структури [02027-1-02027-6]
27) Екситонні властивості барвників на основі перилен-диімідів [02028-1-02028-3]
28) Формування та УФ дослідження наночастинок сульфіду свинцю [02029-1-02029-4]
29) Роль плівок ППО у підвищенні ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходів CdS/MoS2 [02030-1-02030-4]
30) Фізичні особливості двосторонньої дифузії літію в кремній для великогабаритних детекторів [02031-1-02031-4]
31) Міжфазна взаємодія як чинник діелектричних властивостей композитів на основі епоксидної смоли з графітовими нанопластинками [02032-1-02032-5]
32) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-8]
