Фізичні особливості двосторонньої дифузії літію в кремній для великогабаритних детекторів
| Автори | R.A. Muminov1, A.K. Saymbetov2, N.M. Japashov2, Yo.K. Toshmurodov1, S.A. Radzhapov1, N.B. Kuttybay2, M.K. Nurgaliyev2 |
| Приналежність |
1Physico-Technical Institute of the Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent 100084, Uzbekistan 2Al-Farabi Kazakh National University, Almaty 050000, Kazakhstan |
| Е-mail | asaymbetov@kaznu.kz |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 2 |
| Дати | Одержано 26 грудня 2018; у відредагованій формі 03 квітня 2019; опубліковано online 15 квітня 2019 |
| Посилання | R.A. Muminov, A.K. Saymbetov, N.M. Japashov, et al., J. Nano- Electron. Phys. 11 No 2, 02031 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(2).02031 |
| PACS Number(s) | 6170T, 6610C, 7630D |
| Ключові слова | Si (Li) детектори, Дифузія Li (2) , Двостороння дифузія. |
| Анотація |
У роботі ми пропонуємо новий метод двосторонньої дифузії іонів літію в монокристалічну кремнієву пластину для подальшого виготовлення детекторів ядерного випромінювання Si (Li) з діаметром чутливої поверхні більше 110 мм і товщиною чутливого шару більше 4 мм. Встановлено, що оптимальний режим для дифузії літію у силікон великого розміру має місце при температурі T = (450 ± 20) C, часі t = 3 мін та глибині проникнення літію hLi = (300 ± 10) мм. Розглянуто теоретичні припущення та експериментальні характеристики двосторонньої дифузії. Як вихідні матеріали, використовували монокристалічний циліндричний кремнієвий кристал р-типу без дислокацій, отриманий методом зонного плавлення (діаметром 110 мм, товщиною 8-10 мм, з питомим опором ρ = 1000 ÷ 10000 Ом·см і часом життя τ ≥ 500 мкс), і кремнієвий кристал р-типу, отриманий методом Чохральського (з діаметром 110 мм, питомим опором ρ = 10 ÷ 12 Ом·см, часом життя τ ≥ 50 мкс, вирощений в атмосфері аргону). Відповідно, вдосконалено технологічні процеси механічної та хімічної обробки напівпровідникових пластин на основі кремнію великої площі. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання механічних властивостей нанокристалічного SiC методом молекулярної динаміки [02001-1-02001-5]2) Рентгенівське дослідження наноструктури SiC на плівках Cu [02002-1-02002-4]
3) Вплив домішки Au на структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO, отриманих методом CVD [02003-1-02003-4]
4) Залежність продуктивності органічних сонячних елементів як функції товщини активного шару, світлової інтенсивності та температури теплового відпалу [02004-1-02004-5]
5) Ініціювання процесу вибухової кристалізації в аморфних сплавах системи Fe-Zr імпульсною лазерною обробкою [02005-1-02005-4]
6) Чотирикомпонентний напівпровідник халькопіритів Al(Ga,Mn)As2 та AlGa(As,P): дослідження базових принципів [02006-1-02006-5]
7) Електричні властивості гетероструктури Сu2O/Cd1 – xZnxTe [02007-1-02007-5]
8) Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program [02008-1-02008-5]
9) Генерація електромагнітних коливань субміліметрового діапазону діодами GazIn1 – zAs з використанням ударної іонізації [02009-1-02009-5]
10) Вплив нагрівання газу і RF потужності розпилення на електричні, структурні та оптичні властивості тонких плівок ITO [02010-1-02010-7]
11) Ефект впливу довжини каналу на порогові характеристики безперехідних циліндричних польових транзисторів із затвором з діелектриків з високою проникністю [02011-1-02011-5]
12) Оптичні властивості хімічно синтезованих нанокомпозитів PANI-TiO2 [02012-1-02012-5]
13) Візуалізація структури сигналів функціонування елементів складних динамічних систем – когнітивні аспекти [02013-1-02013-4]
14) Закономірності впливу режимів електронно-променевої технології на експлуатаційні характеристики оптичних елементів [02014-1-02014-7]
15) Дослідження моделювання постійного, змінного та перехідного струмів кантілівера MEMS [02015-1-02015-5]
16) Вплив далекодіючої пасивації домішкових атомів поверхневими обірваними зв’язками на провідність поруватого кремнію [02016-1-02016-8]
17) Вимірювання концентрації донорної домішки телуру в пластинчастих зразках вісмуту методом час-пролітної масової спектрометрії [02017-1-02017-4]
18) Механічні властивості ґраток лужноземельних металів кальцію і стронцію [02018-1-02018-7]
19) Спін-орбітальне розщеплення валентної зони в кремнієвих ниткоподібних кристалах під дією деформації [02019-1-02019-8]
20) Взаємозв'язок між піроелектрикою та залишковою поляризацією в тонких плівках сегнетоелектричного полімеру з нанорозмірною структурою [02020-1-02020-5]
21) Нова технологія деконволюції для вдосконалення глибини різкостів мас-спектрометрії вторинних іонів [02021-1-02021-5]
22) Релятивістська корекція струму польової емісії у формалізмі Фаулера-Нордгейма [02022-1-02022-6]
23) Розрахунок рухливості електронів для напруженої наноплівки германію [02023-1-02023-6]
24) Дослідження адсорбції водню на h-BN за допомогою функціональної теорії щільності: ефекти домішки бору [02024-1-02024-5]
25) Одночасний вплив ширини забороненої зони віконного шару p-nc-SiOx:H та зворотного відбиття на характеристики сонячних елементів на основі a-Si:H [02025-1-02025-5]
26) Кристалічна структура і фізичні властивості високоентропійних сплавів [02026-1-02026-6]
27) Структура та фізико-механічні властивості надтвердих багатошарових покриттів (TiAlСrY/Zr)/(TiAlСrYN/ZrN) з подвійним періодом модуляції структури [02027-1-02027-6]
28) Екситонні властивості барвників на основі перилен-диімідів [02028-1-02028-3]
29) Формування та УФ дослідження наночастинок сульфіду свинцю [02029-1-02029-4]
30) Роль плівок ППО у підвищенні ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходів CdS/MoS2 [02030-1-02030-4]
31) Міжфазна взаємодія як чинник діелектричних властивостей композитів на основі епоксидної смоли з графітовими нанопластинками [02032-1-02032-5]
32) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-8]
