Виникнення додаткової електронної провідності кремнієвих структур в атмосфері вологого аміаку: квантовохімічне моделювання

Автори Ф.О. Птащенко
Приналежність

Одеська національна морська академія, вул. Дідріхсона, 8, 65029 Одеса, Україна

Е-mail fed.ptas@mail.ru
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Дати Одержано 22.03.2016, опубліковано online - 21.06.2016
Посилання Ф.О. Птащенко, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02049 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(2).02049
PACS Number(s) 68.43.Bc, 82.65._r
Ключові слова Квантово-хімічні розрахунки (6) , Адсорбція (15) , Аміак (7) , Вода (4) , Поверхневе легування (2) , Кремній (84) , Оксид кремнію (6) .
Анотація В даній роботі систематично надані експериментальні дані і критично розглянуті їх теоретичні пояснення, які відносяться до зміни провідності різних кремнієвих структур при адсорбції молекул аміаку. Ми провели квантовохімічні розрахунки для оцінки можливості появи електронної провідності при протонуванні молекули NH3 на природній поверхні Si. Наші розрахунки забезпечують повне пояснення експериментальних результатів з цього питання, отриманих останнім часом.

Перелік посилань

English version of article