A Numerical Simulation of the Effect of Buffer Layer Band Gap on the Performances of nc-Si : H Based Solar Cells

Автори	H. Touati¹, B. Amiri², A.C. Sebbak², A. Benameur², H. Aït-kaci²
Приналежність	¹ Material Technology Department, Faculty of Physics, Oran University of Sciences and Technology Mohamed Boudiaf USTO-MB, BP1505 Oran, Algeria ² Laboratory of Plasma Physics, Conductor Materials and their Applications, Faculty of Physics, Oran University of Sciences and Technology Mohamed Boudiaf USTO-MB, BP1505 Oran, Algeria
Е-mail	a_belfar@hotmail.com
Випуск	Том 8, Рік 2016, Номер 2
Дати	Одержано 03.02.2016, у відредагованій формі - 10.06.2016, опубліковано online - 21.06.2016
Посилання	H. Touati, B. Amiri, A.C. Sebbak, et al., J. Nano- Electron. Phys. 8 No 2, 02008 (2016)
DOI	10.21272/jnep.8(2).02008
PACS Number(s)	73.40.Lq, 78.20.Bh
Ключові слова	Nanocrystalline silicon (5) , Buffer layer (2) , Band gap (29) , Simulation (35) .
Анотація	This paper describes an investigation, by using numerical simulation, into the impacts of i-nc-Si : H buffer layer band gap on the photovoltaic parameters of n-i-p hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si : H) solar cells. The output external cell parameters, like, the short-circuit current (JSC), the open circuit voltage (VOC), the fill factor (FF) and efficiency (Eff) are simulated by varying the mobility band gap (Eg) of i-nc-Si : H buffer layer. Also, the band diagram of nc-Si : H n-i-p solar cell, the electric field and the traped hole density at i/p interface, and the external quantum efficiency, with different values of buffer layer band gap where optimized. The simulation result shows that in valence band and for both interfaces, the band offsets ΔEV1 at p-nc-Si : H (window layer) / i-nc-Si : H (buffer layer) and ΔEV2 at i-nc-Si : H (buffer layer) / i-nc-Si : H (absorber layer) can be affected by varying Eg. It is obtained that the values efficiency are 10.89 % and 11.33 % when the value of i-nc-Si : H buffer layer band gap are 1.4 eV and 1.55 eV, respectively. However, the i-nc-Si : H buffer layer band gap of 1.55 eV was optimized for obtaining a better efficiency for n-i-p solar cell based on hydrogenated nanocrystalline silicon.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Fabrication of β-Silicon Carbide Nanowires from Carbon Powder and Silicon Wafer [02001-1-02001-4]
2) Numerical Investigation of Spatial Effects on the Silicon Solar Cell [02002-1-02002-4]
3) An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors [02003-1-02003-4]
4) Теплопровідність мікро- і нанокомпозитів на основі оксиду цинку [02004-1-02004-4]
5) Effect of Annealing on the Properties of Nanocrystalline CdS Thin Films Prepared by CBD Method [02005-1-02005-7]
6) Analysis of the Inhomogeneous Barrier in In/p-Si Schottky Contact and Modified Richardson Plot [02006-1-02006-6]
7) Налагодження електронних станів каталізаторів перехідних металів з використанням акцепторних атомів: розрахунок із перших принципів [02007-1-02007-5]
8) Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [02009-1-02009-8]
9) Моделювання структури, термодинамічні властивості та температури фазових переходівкристалів II-VI [02010-1-02010-5]
10) Ferromagnetism in Mn-doped Chalcopyrite AlGaP2 Semiconductor [02011-1-02011-5]
11) Dye-sensitized Solar Cell Based on Flower-like ZnO Nanoparticles as Photoanode and Natural Dye as Photosensitizer [02012-1-02012-4]
12) Study of the Impact of Non-linear Piezoelectric Constants on the Acoustic Wave Propagation on Lithium Niobate [02013-1-02013-5]
13) Вплив ультразвуку на формування самоорганізованих однорідних нанокластерів [02014-1-02014-6]
14) Моделювання наноакустоелектронного перетворювача на основі графенових нанотрубок [02015-1-02015-4]
15) Електронна структура напівметалевого кристала CoFeMnSi, отримана з урахуванням сильних кореляцій 3d електронів [02016-1-02016-7]
16) Електропровідність дрібнокристалічного графіту при дії гідростатичного тиску [02017-1-02017-4]
17) Локальне розсіяння електронів на дефектах кристалічної гратки в InSb та InN [02018-1-02018-7]
18) Вплив безвакуумного відпалу на морфологію покриттів NbNх, NbNx : Si [02019-1-02019-5]
19) Нелінійне рівняння Шредінгера для опису малоамплітудних спінових хвиль в багатошарових магнітних матеріалах [02020-1-02020-7]
20) Особливості росту нанорозмірних шарів Mg2Si у багатошарових рентгенівських дзеркалах Si/Mg2Si [02021-1-02021-6]
21) Perspective Method of Betavoltaic Converter Creation [02022-1-02022-4]
22) Correlation Effect of Two Donors in a Nano Dot under the Influence of Magneticfield [02023-1-02023-3]
23) Структурна інженерія вакуумно-плазмових покриттів фаз проникнення [02024-1-02024-7]
24) Influence of Urbach Energy with Solution Molarity on the Electrical Conductivity in Undoped ZnO Thin Films [02025-1-02025-4]
25) Spray Deposited Nanocrystalline ZnO Transparent Electrodes: Role of Precursor Solvent [02026-1-02026-5]
26) A New Theoretical Study of Quantum Atomic Energy Spectra for Lowest Excited States of Central (PIHOIQ) Potential in Noncommutative Spaces and Phases Symmetries at Plan’s and Nanoscales [02027-1-02027-10]
27) Anodized Nanoporous Titania Thin Films for Dental Application: Structure’ Effect on Corrosion Behavior [02028-1-02028-6]
28) Структура та фізичні властивості композитів, сформованих на основі сульфіду молібдену [02029-1-02029-7]
29) Thermoelectric Properties of Oblique SiGe Whiskers [02030-1-02030-5]
30) Електронна структура, оптичні та сенсорні властивості нанодротиків ZnO [02031-1-02031-5]
31) Вплив інтенсивної пластичної деформації на процеси фазоутворення в аморфних сплавах [02032-1-02032-4]
32) Генератор дифракційного випромінювання з асиметричною відкритою резонансною системою. Частина 1. Результати “холодних” досліджень відкритої резонансної системи [02033-1-02033-7]
33) Генератор дифракційного випромінювання з асиметричною відкритою резонансною системою. Частина 2. Результати “гарячих” досліджень генератора дифракційного випромінювання [02034-1-02034-8]
34) Синтез та дослідження структурних, оптичних і фотокаталітичних характеристик V2O5/TiO2 нанокомпозитів [02035-1-02035-6]
35) Influence of the SHI Irradiation on the XRD, AFM, and Electrical Properties of CdSe Thin Films [02036-1-02036-3]
36) Dynamic Conduction in 2-Dimensional Conductor: Magneto-Conductivity Tensor under Rapid Oscillatory Electric Field [02037-1-02037-2]
37) Вимірювання елементного складу матеріалів за допомогою електронного спектра мас [02038-1-02038-6]
38) Spectral Measurement of Photon Emission from Individual Gold Nanoparticles Using Scanning Tunneling Microscopy [02039-1-02039-3]
39) Microelectromechanical Systems of the Impulse Betavoltaics Element for Electric Power of Biosensors [02040-1-02040-2]
40) Вплив технологічних режимів на фізичні властивості нанокристалів сульфіду кадмію отриманих електролітичним методом [02041-1-02041-6]
41) Efficient Design of Reversible Code Converters Using Quantum Dot Cellular Automata [02042-1-02042-8]
42) Синтез нанопорошків ZnO та ZnO : Mn методом ультразвукового піролізу аерозолю [02043-1-02043-5]
43) Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor [02044-1-02044-3]
44) Вплив технологічних факторів отримання на морфологію поверхні та електричні властивості плівок PbTe легованих Bi [02045-1-02045-6]
45) A New Nonrelativistic Atomic Energy Spectrum of Energy Dependent Potential for Heavy Quarkouniom in Noncommutative Spaces and Phases Symmetries [02046-1-02046-6]
46) Investigation of External Charges Effects on Piezoelectric ZnO Nanogenerator [02047-1-02047-6]
47) Ємнісні датчики для довгохвильового акустичного випромінювання направленими хвилями [02048-1-02048-5]
48) Виникнення додаткової електронної провідності кремнієвих структур в атмосфері вологого аміаку: квантовохімічне моделювання [02049-1-02049-7]
49) Властивості гідроксиапатиних покриттів на металооксидних носіях [02050-1-02050-6]
50) Вплив ефектів розмірності на термоелектричні властивості тонких плівок PbTe [02051-1-02051-6]
51) Вплив активаційного реагента на параметри електродних матеріалів суперконденсатора [02052-1-02052-3]
52) Influence of Size Effects on the Properties of Processed Iron Ore and Schungite Rock [02053-1-02053-6]
53) Вплив нанонаповнених полімерних покриттів на радіаційну стійкість в кристалах кремнію, що використовуються в сонячній енергетиці [02054-1-02054-5]
54) Structure and Optical Properties of Polycrystalline InxSb30 – xSe70 (0 ≤ x ≤ 25) Chalcogenide Alloys [02055-1-02055-5]
55) Структура та магніторезистивні властивості тришарових плівкових систем на основі пермалою та міді [02056-1-02056-6]
56) Вплив високоентропійних складових нітридних шарів на вміст азоту і твердість вакуумно-дугових багатошарових покриттів (TiN-Cu)/(AlNbTiMoVCr)N [02057-1-02057-4]
57) Field-emission Properties of Ni-C Nanocomposite Films [02058-1-02058-4]