Автори | Р.М. Балабай1, Д.Ю. Грицуля1, В.Г. Литовченко2 |
Афіліація | 1 Кафедра фізики та методики її навчання, Криворізький національний університет, пр. Гагаріна, 54, 50085 Кривий Ріг, Україна 2 Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна академія наук України, пр. Науки, 41, 03028 Київ, Україна |
Е-mail | gritsulia.dariya@kdpu.edu.ua |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Дати | Одержано 01.02.2016, опубліковано online - 21.06.2016 |
Цитування | Р.М. Балабай, Д.Ю. Грицуля, В.Г. Литовченко, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02007 (2016) |
DOI | 10.21272/jnep.8(2).02007 |
PACS Number(s) | 71.20.Be |
Ключові слова | Каталізатори перехідних металів, Силіциди перехідних металів, Оксиди перехідних металів, Розрахунки із перших принципів (4) . |
Анотація | Методами теорії функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів ми отримали просторовий розподіл густини валентних електронів і електронного енергетичного спектру для малих кластерів із атомів Cu, Ni, Co, O, Si, з метою визначити механізми їх високої каталітичної активності. Електронні рівні каталізатора визначають напрям хімічної реакції. Ми дослідили, що організацію електронних станів нанокаталізаторів на основі перехідних металів можливо контролювати шляхом зміни просторової організації кластерів і додавання електронегативних атомів. |
Перелік посилань |