Автори | О.П. Малик |
Афіліація | Національний університет «Львівська політехніка», кафедра напівпровідникової електроніки, пл. Св. Юра, 1, 79013 Львів, Україна |
Е-mail | omalyk@ukr.net |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Дати | Одержано 15.02.2016, опубліковано online - 21.06.2016 |
Цитування | О.П. Малик, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02018 (2018) |
DOI | 10.21272/jnep.8(2).02018 |
PACS Number(s) | 72.20.Dp |
Ключові слова | Дефекти гратки, Антимонід індію, Нітрид індію (3) . |
Анотація | У представленій роботі розглядається взаємодія електронів з дефектами гратки, які характеризуються потенціалом лімітованого радіусу дії, в кристалах антимоніду та нітриду індію. Концентрація домішок в досліджених кристалах n-InSb складала (1÷8) × 1014 см – 3, а в зразку n-InN ≈ 6 × 1017 см – 3. В рамках аналітичного розв’язку стаціонарного кінетичного рівняння Больцмана, використовуючи принцип близькодії, встановлено температурні залежності рухливості електронів, фактору Холла та термоелектрорушійної сили в антимоніді індію в температурному діапазоні 8-700 К. Для кристалу нітриду індію представлено залежності рухливості електронів та фактору Холла від температури в діапазоні 4.2-560 K. |
Перелік посилань English version of article |