Особливості росту нанорозмірних шарів Mg2Si у багатошарових рентгенівських дзеркалах Si/Mg2Si

Автори Л.Є Конотопський, І.А. Копилець, В.А. Севрюкова, Є.М. Зубарєв, В.В. Кондратенко
Приналежність

Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут”, вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна

Е-mail kkana357@gmail.com
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Дати Одержано 20.01.2016, опубліковано online - 21.06.2016
Посилання Л.Є Конотопський, І.А. Копилець, В.А. Севрюкова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02021 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(2).02021
PACS Number(s) 68.60. – p, 68.60.Dv, 68.65.Ac
Ключові слова Багатошарове рентгенівське дзеркало (4) , Силіцид магнію, Рентгенівський фазовий аналіз, Електронна мікродифракція.
Анотація Електронно-мікроскопічними та рентгенографічними методами досліджені особливості росту нанорозмірних шарів силіциду магнію у багатошаровому рентгенівському дзеркалі Si/Mg2Si у вихідному стані та після відпалу. Встановлено, що у вихідному стані шари силіциду магнію являють собою аморфну матрицю з включеннями нанокристалічної фази Mg2Si у метастабільній гексагональній модифікації. Формування силіциду магнію у гексагональній модифікації відбувається під впливом механічних напружень, джерелом яких є шари кремнію. Відпал багатошарового рентгенівського дзеркала Si/Mg2Si при T = 723 К призводить до кристалізації та рекристалізації силіциду магнію з аморфної фази, що супроводжується зменшенням періоду рентгенівського дзеркала на 7.3 %.

Перелік посилань