Автори | K.V. Rudenko1, A.V. Miakonkih1, A.E. Rogojin1, S.V. Bogdanov2, E.T. Lelekov2, V.G. Sidorov2, P.V. Zelenkov2 |
Афіліація | 1 Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia 2 Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russia |
Е-mail | |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Дати | Одержано 18.02.2016, опубліковано online - 21.06.2016 |
Цитування | K.V. Rudenko, A.V. Miakonkih, A.E. Rogojin, et al., J. Nano- Electron. Phys. 8 No 2, 02022 (2016) |
DOI | 10.21272/jnep.8(2).02022 |
PACS Number(s) | 00.05.Tp, 85.60.Jb |
Ключові слова | Betavoltaic element, p-i-n diode (3) , Plasma-immersion ion implantation, Cryo process, Scalloping. |
Анотація | Some results on planar diode structure creation by the method of a plasma-immersion ion implantation is presented in this paper. Obtained leakage current ~ 1 uA/cm2 at reverse voltage – 1 V. The cryogenic plasmochemical silicon etching process is developed, able to form the structured silicon layer with system of deep holes with high aspect ratio. |
Перелік посилань |