Автори | С.В. Сиротюк , В.М. Швед , І.Є. Лопатинський , Н.О. Щербань |
Афіліація | Національний університет ”Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Дати | Одержано 11.01.2016, у відредагованій формі - 13.06.2016, опубліковано online - 21.06.2016 |
Цитування | С.В. Сиротюк, В.М. Швед, І.Є. Лопатинський, Н.О. Щербань, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02016 (2016) |
DOI | 10.21272/jnep.8(2).02016 |
PACS Number(s) | 71.15.Ap, 71.20.Be, 71.27. + a |
Ключові слова | Енергетичний спектр електронів (2) , Густина електронних станів (2) , Спінова поляризація (2) , Сильна кореляція електронів (2) , Магнітній момент (2) . |
Анотація | Розраховані електронні енергетичні спектри та густини електронних станів напівметалевого кристала CoFeMnSi без урахування сильних електронних кореляцій та з включенням останніх в розрахункову схему. Виявлено великий вплив сильних кореляцій 3d електронів на значення ширини забороненої зони кристала. Зроблені припущення щодо величини параметра змішування в обмінно-кореляційному функціоналі для металів та напівметалів. Зроблено висновок про важливість врахування сильних кореляцій у кристалах з перехідними елементами. |
Перелік посилань English version of article |