Розробка фізичних основ ємнісного акустичного методу дефектоскопії металів
| Автори | Б.М. Горкунов1, І.В. Тюпа1, Л.В. Зайцева1,2, Г.С. Хрипунов1 , Р.В. Зайцев1 , А.Л. Хрипунова1 |
| Приналежність | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна 2 ВАТ «Турбоатом», просп. Московський, 199, 61037 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
| Дати | Одержано 16.07.2014, опубліковано online - 25.03.2015 |
| Посилання | Б.М. Горкунов, І.В. Тюпа, Л.В. Зайцева, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01038 (2015) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 06.20. – f, 43.35.Yb |
| Ключові слова | Перетворювач (34) , акустичний контроль (2) , довгохвильове випромінювання (2) , хвиля (15) . |
| Анотація | Розроблено фізичну модель процесу збудження за допомогою конденсатора довгохвильових поздовжніх і поверхневих акустичних хвиль у металах. Показано, що модель дозволяє проводити розрахунок вихідного сигналу і здійснювати вибір методів і засобів для прийому даних акустичних коливань при проведенні дефектоскопії металів. Встановлено можливість збудження і прийому довгохвильових акустичних коливань ємнісними перетворювачами. Розроблено схемотехнічне рішення електронного пристрою для реалізації оригінального ємнісного акустичного методу дефектоскопії металів. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of Electron Beam Irradiation on Structural, Electrical and Thermo-electric Power of La0.8Sr0.2MnO3 [01001-1-01001-5]2) Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [01002-1-01002-6]
3) Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide [01003-1-01003-3]
4) Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration [01004-1-01004-4]
5) Structural and Mechanical Properties of Fluorinated SWCNTs: a DFT Study [01005-1-01005-4]
6) Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT [01006-1-01006-3]
7) Linewidth of Cyclotron Absorption in Band-Gap Graphene: Relaxation Time Approximation vs. Monte Carlo Method [01007-1-01007-5]
8) Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization [01008-1-01008-3]
9) Silicon Photodetectors Matrix Coordinate Bipolar Functionally Integrated Structures [01009-1-01009-3]
10) Two Approaches in Computer Simulation of the MFM-images [01010-1-01010-3]
11) Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors [01011-1-01011-3]
12) Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [01012-1-01012-7]
13) Film Growth Based on an Organic Basis for Photovoltaic p-Cells [01013-1-01013-4]
14) Плівки сульфіду олова, отримані сульфурізацією прекурсорів з електроосадженного олова [01014-1-01014-9]
15) Негативний фотодіелектричний ефект у структурах плівка фулерену-плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу [01015-1-01015-5]
16) Вплив нанорозмірного прошарку оксиду олова на ефективність фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах на основі телуриду кадмію [01016-1-01016-6]
17) Теоретичне дослідження енергетичних характеристик штучного рецептора на меламін у предполімерізаціонной фазі [01017-1-01017-5]
18) Нанокомпозити на основі полібутилентерефталату, синтезованого з циклічних олігомерів бутилентерефталату та мультистінних вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-6]
19) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанорозмірної шпінелі LiMn1.5Fe0.5O4 [01019-1-01019-4]
20) Спінові хвилі у феромагнітній плівці з періодичною системою антиточок [01020-1-01020-5]
21) Використання поруватих з'єднань А3В5 для обкладинок суперконденсатора [01021-1-01021-4]
22) Плівкові композиційні матеріали на основі гідроксилапатиту і полівінілового спирту [01022-1-01022-5]
23) Синтез та вивчення властивостей наноферитів, отриманих методом золь-гель за участі автогоріння [01023-1-01023-9]
24) Морфологія острівцевих систем, що формуються при плавленні суцільних плівок Bi на Ge та SiO2 підкладках [01024-1-01024-4]
25) Діагностика реконструкції поверхні золота методами багатокутові еліпсометрії [01025-1-01025-6]
26) Закономірності формування структури покриттів CrN, отриманих вакуумно-дуговим випаровуванням в атмосфері азоту [01026-1-01026-4]
27) Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом [01027-1-01027-5]
28) Вплив гідротермальної обробки на фазовий склад діоксиду титану, отриманого методом гідролізу Ti(OC4H9)4 [01028-1-01028-5]
29) Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx [01029-1-01029-5]
30) FLUX – програмний пакет для обчислення характеристик синхротронного випромінювання [01030-1-01030-6]
31) Вплив розмірів наповнювача на перколяційну поведінку системи поліетиленгліколь / вуглецеві нанотрубки [01031-1-01031-6]
32) Ріст нанокристалів золота у суміші первинних спиртів [01032-1-01032-10]
33) Вплив лазерного відпалювання на морфологію поверхні та оптичні характеристики нанокремнієвих плівок [01033-1-01033-5]
34) Структурна інженерія багатошарової системи TiN / CrN, отриманої вакуумно-дуговим випаровуванням [01034-1-01034-6]
35) Окислення цирконію після опромінення іонами аргону [01035-1-01035-4]
36) Особливості кінетики спаду фото-ЕРС в кристалах кремнію, які використовуються в сонячній енергетиці, обумовлені дією слабкого стаціонарного магнітного поля [01036-1-01036-4]
37) Віріальні коефіцієнти для термодинамічних систем з псевдопотенціалом Хіла [01037-1-01037-6]
38) Вплив зовнішньої періодичної дії на кінетику фрагментації металівпри інтенсивній пластичній деформації [01039-1-01039-11]
39) Вплив іонної імплатнації Au– на мікроструктуру аморфно-нанокристалічного AlN-TiB2-TiSi2 [01040-1-01040-5]
40) Триботехнічні характеристики багатоелементних покриттів на основі нітридів Ti, Zr, Cr, Nb, Si, отриманих за допомогою вакуумно-дугових методів осадження [01041-1-01041-5]
