Морфологія острівцевих систем, що формуються при плавленні суцільних плівок Bi на Ge та SiO2 підкладках
| Автори | О.П. Кришталь , О.О. Мінєнков , С.С. Джус |
| Афіліація | Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, пл. Свободи, 4, 61022 Харків, Україна |
| Е-mail | aleksandr.p.kryshtal@univer.kharkov.ua |
| Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
| Дати | Одержано 22.10.2014, у відредагованій формі - 11.03.2015, опубліковано online - 25.03.2015 |
| Цитування | О.П. Кришталь, О.О. Мінєнков, С.С. Джус, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01024 (2015) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 68.55.J –, 68.08.Bc, 68.37.Hk |
| Ключові слова | Тонкі плівки (71) , Змочування (2) , Розпад плівки, Сканувальна електронна мікроскопія (2) . |
| Анотація | Наводяться результати електронно-мікроскопічного дослідження масивів наночастинок, сформованих шляхом плавлення суцільних полікристалічних плівок Bi на аморфних Ge і SiO2 підкладках . Показано, що в результаті самоорганізації при плавленні вісмуту на інертній SiO2 підкладці формуються острівкові структури з малим розкидом частинок за розміром, і визначено зв'язок їх основних характеристик з товщиною вихідних плівок. Встановлено, що плавлення вісмуту на аморфній германієвій підкладці призводить до формування невпорядкованих масивів наночастинок, морфологічна структура яких визначається характером взаємодії компонентів на межі плівка-підкладка . |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of Electron Beam Irradiation on Structural, Electrical and Thermo-electric Power of La0.8Sr0.2MnO3 [01001-1-01001-5]2) Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [01002-1-01002-6]
3) Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide [01003-1-01003-3]
4) Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration [01004-1-01004-4]
5) Structural and Mechanical Properties of Fluorinated SWCNTs: a DFT Study [01005-1-01005-4]
6) Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT [01006-1-01006-3]
7) Linewidth of Cyclotron Absorption in Band-Gap Graphene: Relaxation Time Approximation vs. Monte Carlo Method [01007-1-01007-5]
8) Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization [01008-1-01008-3]
9) Silicon Photodetectors Matrix Coordinate Bipolar Functionally Integrated Structures [01009-1-01009-3]
10) Two Approaches in Computer Simulation of the MFM-images [01010-1-01010-3]
11) Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors [01011-1-01011-3]
12) Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [01012-1-01012-7]
13) Film Growth Based on an Organic Basis for Photovoltaic p-Cells [01013-1-01013-4]
14) Плівки сульфіду олова, отримані сульфурізацією прекурсорів з електроосадженного олова [01014-1-01014-9]
15) Негативний фотодіелектричний ефект у структурах плівка фулерену-плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу [01015-1-01015-5]
16) Вплив нанорозмірного прошарку оксиду олова на ефективність фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах на основі телуриду кадмію [01016-1-01016-6]
17) Теоретичне дослідження енергетичних характеристик штучного рецептора на меламін у предполімерізаціонной фазі [01017-1-01017-5]
18) Нанокомпозити на основі полібутилентерефталату, синтезованого з циклічних олігомерів бутилентерефталату та мультистінних вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-6]
19) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанорозмірної шпінелі LiMn1.5Fe0.5O4 [01019-1-01019-4]
20) Спінові хвилі у феромагнітній плівці з періодичною системою антиточок [01020-1-01020-5]
21) Використання поруватих з'єднань А3В5 для обкладинок суперконденсатора [01021-1-01021-4]
22) Плівкові композиційні матеріали на основі гідроксилапатиту і полівінілового спирту [01022-1-01022-5]
23) Синтез та вивчення властивостей наноферитів, отриманих методом золь-гель за участі автогоріння [01023-1-01023-9]
24) Діагностика реконструкції поверхні золота методами багатокутові еліпсометрії [01025-1-01025-6]
25) Закономірності формування структури покриттів CrN, отриманих вакуумно-дуговим випаровуванням в атмосфері азоту [01026-1-01026-4]
26) Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом [01027-1-01027-5]
27) Вплив гідротермальної обробки на фазовий склад діоксиду титану, отриманого методом гідролізу Ti(OC4H9)4 [01028-1-01028-5]
28) Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx [01029-1-01029-5]
29) FLUX – програмний пакет для обчислення характеристик синхротронного випромінювання [01030-1-01030-6]
30) Вплив розмірів наповнювача на перколяційну поведінку системи поліетиленгліколь / вуглецеві нанотрубки [01031-1-01031-6]
31) Ріст нанокристалів золота у суміші первинних спиртів [01032-1-01032-10]
32) Вплив лазерного відпалювання на морфологію поверхні та оптичні характеристики нанокремнієвих плівок [01033-1-01033-5]
33) Структурна інженерія багатошарової системи TiN / CrN, отриманої вакуумно-дуговим випаровуванням [01034-1-01034-6]
34) Окислення цирконію після опромінення іонами аргону [01035-1-01035-4]
35) Особливості кінетики спаду фото-ЕРС в кристалах кремнію, які використовуються в сонячній енергетиці, обумовлені дією слабкого стаціонарного магнітного поля [01036-1-01036-4]
36) Віріальні коефіцієнти для термодинамічних систем з псевдопотенціалом Хіла [01037-1-01037-6]
37) Розробка фізичних основ ємнісного акустичного методу дефектоскопії металів [01038-1-01038-5]
38) Вплив зовнішньої періодичної дії на кінетику фрагментації металівпри інтенсивній пластичній деформації [01039-1-01039-11]
39) Вплив іонної імплатнації Au– на мікроструктуру аморфно-нанокристалічного AlN-TiB2-TiSi2 [01040-1-01040-5]
40) Триботехнічні характеристики багатоелементних покриттів на основі нітридів Ti, Zr, Cr, Nb, Si, отриманих за допомогою вакуумно-дугових методів осадження [01041-1-01041-5]
